公开(公告)号：CN104347796A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410370250.4

申请日：2014-07-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金佑塡 ,  金基雄 ,  林佑昶

IPC: H01L43/08 ,  G11C11/16

CPC classification number: H01L27/222 ,  G11C11/161 ,  H01F10/3204 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3286 ,  H01L27/224 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

Abstract: 提供了一种磁存储装置，所述磁存储装置可以包括通过隧道阻挡件彼此分隔开的自由磁结构和参考磁结构。自由磁结构可以包括交换耦合层以及通过交换耦合层彼此分隔开的第一自由层和第二自由层。第一自由层可以设置在第二自由层和隧道阻挡件之间。第一自由层的厚度可以大于第一最大各向异性厚度，第一最大各向异性厚度是第一自由层具有最大垂直各向异性时的厚度。第二自由层的厚度可以小于第二最大各向异性厚度，第二最大各向异性厚度是第二自由层具有最大垂直各向异性时的厚度。具有不同厚度的两个自由层的磁隧道结能够实现具有提高的MR比率和减小的切换电流的磁存储装置。

公开(公告)号：CN102956813A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201210285196.4

申请日：2012-08-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴正宪 ,  金英铉 ,  朴相奂 ,  吴世忠 ,  李将银 ,  林佑昶

IPC: H01L43/02 ,  H01L43/08

CPC classification number: H01L43/08 ,  G06F13/16 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  H01L43/02 ,  H01L43/10

Abstract: 本申请提供磁隧道结器件、存储器、存储系统及电子设备。一种磁隧道结器件包括：第一结构，包括磁层；第二结构，包括至少两个外在垂直磁化结构，每个外在垂直磁化结构包括磁层以及该磁层上的垂直磁化诱导层；及隧道势垒，位于所述第一结构和第二结构之间。

公开(公告)号：CN111312745B

公开(公告)日：2024-11-29

申请号：CN201911232220.6

申请日：2019-12-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢恩仙 ,  金柱显 ,  李俊明 ,  林佑昶

IPC: H10B61/00 ,  H10N50/10

Abstract: 一种磁存储器装置包括：衬底上的缓冲层；磁隧道结结构，其包括在缓冲层上依次堆叠的固定层结构、隧道屏障和自由层的磁隧道结结构；以及自旋轨道扭矩(SOT)结构，其位于磁隧道结结构上并且包括拓扑绝缘体材料，其中，自由层包括哈斯勒材料。

公开(公告)号：CN109841727B

公开(公告)日：2024-01-02

申请号：CN201811285410.X

申请日：2018-10-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金晥均 ,  姜德现 ,  金禹珍 ,  林佑昶 ,  郑峻昊

IPC: H10N50/10 ,  H10N50/01 ,  H10B61/00

Abstract: 一种制造磁阻随机存取存储器(MRAM)器件的方法，所述方法包括：在衬底上形成第一磁性层；在所述第一磁性层上形成第一隧道势垒层，使得所述第一隧道势垒层包括第一金属氧化物，所述第一金属氧化物通过在第一温度下氧化第一金属层而形成；在所述第一隧道势垒层上形成第二隧道势垒层，使得所述第二隧道势垒层包括第二金属氧化物，所述第二金属氧化物通过在高于所述第一温度的第二温度下氧化第二金属层而形成；以及在所述第二隧道势垒层上形成第二磁性层。

公开(公告)号：CN107017337B

公开(公告)日：2021-10-15

申请号：CN201611122010.8

申请日：2016-12-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金基雄 ,  金柱显 ,  朴容星 ,  吴世忠 ,  李俊明 ,  林佑昶

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  H01L27/22

Abstract: 本发明提供一种磁存储器件以及一种制造该磁存储器件的方法。该方法包括在基板上形成第一磁性层、在第一磁性层上形成隧道势垒层以及在隧道势垒层上形成第二磁性层。形成隧道势垒层包括在第一磁性层上形成第一金属氧化物层、在第一金属氧化物层上形成第一金属层、在第一金属层上形成第二金属氧化物层以及进行第一热处理工艺以氧化第一金属层的至少一部分。

公开(公告)号：CN102683580B

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201210072710.6

申请日：2012-03-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴正宪 ,  吴世忠 ,  金佑填 ,  朴相奂 ,  李将银 ,  林佑昶

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  H01L27/22 ,  G11C11/15

CPC classification number: H01L43/10 ,  B82Y40/00 ,  G01R33/098 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  H01F10/123 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3286 ,  H01F41/303 ,  H01L27/224 ,  H01L27/226 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明提供一种磁隧道结器件，该磁隧道结器件包括：固定磁结构；自由磁结构；自由磁结构；以及在固定磁结构和自由磁结构之间的隧道势垒，固定磁结构和自由磁结构的至少之一包括垂直磁化保存层、在垂直磁化保存层与隧道势垒之间的磁性层、以及在垂直磁化保存层与磁性层之间的垂直磁化诱导层。

公开(公告)号：CN102683580A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201210072710.6

申请日：2012-03-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴正宪 ,  吴世忠 ,  金佑填 ,  朴相奂 ,  李将银 ,  林佑昶

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  H01L27/22 ,  G11C11/15

CPC classification number: H01L43/10 ,  B82Y40/00 ,  G01R33/098 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  H01F10/123 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3286 ,  H01F41/303 ,  H01L27/224 ,  H01L27/226 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明提供一种磁隧道结器件，该磁隧道结器件包括：固定磁结构；自由磁结构；自由磁结构；以及在固定磁结构和自由磁结构之间的隧道势垒，固定磁结构和自由磁结构的至少之一包括垂直磁化保存层、在垂直磁化保存层与隧道势垒之间的磁性层、以及在垂直磁化保存层与磁性层之间的垂直磁化诱导层。

公开(公告)号：CN110504356B

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN201910404401.6

申请日：2019-05-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金晥均 ,  卢恩仙 ,  李俊明 ,  林佑昶 ,  郑峻昊

IPC: H10N50/01 ,  H10N50/10

Abstract: 提供了一种制造磁隧道结(MTJ)装置的方法。所述方法包括以下步骤：在基底上方形成自由磁性层、在自由磁性层上方形成金属层以及通过在250K或更低的温度下将金属层暴露于氧化气体来对金属层进行氧化。

公开(公告)号：CN111312745A

公开(公告)日：2020-06-19

申请号：CN201911232220.6

申请日：2019-12-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢恩仙 ,  金柱显 ,  李俊明 ,  林佑昶

IPC: H01L27/22 ,  H01L43/08

Abstract: 一种磁存储器装置包括：衬底上的缓冲层；磁隧道结结构，其包括在缓冲层上依次堆叠的固定层结构、隧道屏障和自由层的磁隧道结结构；以及自旋轨道扭矩(SOT)结构，其位于磁隧道结结构上并且包括拓扑绝缘体材料，其中，自由层包括哈斯勒材料。

公开(公告)号：CN104347796B

公开(公告)日：2018-10-16

申请号：CN201410370250.4

申请日：2014-07-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金佑塡 ,  金基雄 ,  林佑昶

IPC: H01L43/08 ,  G11C11/16

Abstract: 提供了一种磁存储装置，所述磁存储装置可以包括通过隧道阻挡件彼此分隔开的自由磁结构和参考磁结构。自由磁结构可以包括交换耦合层以及通过交换耦合层彼此分隔开的第一自由层和第二自由层。第一自由层可以设置在第二自由层和隧道阻挡件之间。第一自由层的厚度可以大于第一最大各向异性厚度，第一最大各向异性厚度是第一自由层具有最大垂直各向异性时的厚度。第二自由层的厚度可以小于第二最大各向异性厚度，第二最大各向异性厚度是第二自由层具有最大垂直各向异性时的厚度。具有不同厚度的两个自由层的磁隧道结能够实现具有提高的MR比率和减小的切换电流的磁存储装置。