公开(公告)号：CN115768239A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202211067312.5

申请日：2022-09-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李俊明 ,  金晥均 ,  卢恩仙 ,  申喜珠 ,  郑峻昊

IPC: H10N50/10 ,  H10B61/00

Abstract: 一种磁性存储器件可以包括堆叠在基板上的被钉扎磁性图案和自由磁性图案、在被钉扎磁性图案和自由磁性图案之间的隧道势垒图案、在自由磁性图案上的覆盖图案、以及在自由磁性图案和覆盖图案之间的非磁性图案。自由磁性图案可以在隧道势垒图案和覆盖图案之间。非磁性图案可以包括第一非磁性金属和硼，覆盖图案包括第二非磁性金属。第二非磁性金属的硼化物形成能可以高于第一非磁性金属的硼化物形成能。

公开(公告)号：CN111223985A

公开(公告)日：2020-06-02

申请号：CN201911099462.2

申请日：2019-11-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢恩仙 ,  金柱显 ,  金晥均

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  H01L27/22

Abstract: 提供了磁存储器件及其制造方法。磁存储器件包括：磁隧道结图案，设置在基板上并包括顺序地堆叠的自由层、隧道势垒层和被钉扎层；以及第一自旋轨道转矩(SOT)线，与磁隧道结图案的自由层的第一侧壁接触。

公开(公告)号：CN110504356B

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN201910404401.6

申请日：2019-05-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金晥均 ,  卢恩仙 ,  李俊明 ,  林佑昶 ,  郑峻昊

IPC: H10N50/01 ,  H10N50/10

Abstract: 提供了一种制造磁隧道结(MTJ)装置的方法。所述方法包括以下步骤：在基底上方形成自由磁性层、在自由磁性层上方形成金属层以及通过在250K或更低的温度下将金属层暴露于氧化气体来对金属层进行氧化。

公开(公告)号：CN111223985B

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN201911099462.2

申请日：2019-11-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢恩仙 ,  金柱显 ,  金晥均

IPC: H10N50/10 ,  H10N50/85 ,  H10N50/01 ,  H10B61/00

Abstract: 提供了磁存储器件及其制造方法。磁存储器件包括：磁隧道结图案，设置在基板上并包括顺序地堆叠的自由层、隧道势垒层和被钉扎层；以及第一自旋轨道转矩(SOT)线，与磁隧道结图案的自由层的第一侧壁接触。

公开(公告)号：CN115411063A

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN202210577683.1

申请日：2022-05-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金晥均 ,  朴正宪 ,  申喜珠 ,  赵泳俊 ,  李俊明 ,  郑峻昊

IPC: H01L27/22 ,  H01L43/08

Abstract: 公开了一种磁性存储器件，其包括依次堆叠在衬底上的被钉扎磁性图案和自由磁性图案、在被钉扎磁性图案和自由磁性图案之间的隧道势垒图案、在自由磁性图案上的顶电极、以及在自由磁性图案和顶电极之间的盖图案。盖图案包括下盖图案、在下盖图案和顶电极之间的上盖图案、在下盖图案和上盖图案之间的第一非磁性图案、以及在第一非磁性图案和上盖图案之间的第二非磁性图案。下盖图案和上盖图案中的每个包括非磁性金属。第一非磁性图案和第二非磁性图案包括彼此不同的金属。

公开(公告)号：CN103682084B

公开(公告)日：2017-10-31

申请号：CN201310389452.9

申请日：2013-08-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林佑昶 ,  金相溶 ,  金晥均 ,  朴相奂 ,  朴正宪

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  G11C11/15 ,  B82Y25/00

CPC classification number: H01L43/08 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659

Abstract: 本发明公开了磁存储器件及其形成方法。其中根据实施方式的磁存储器件包括在衬底上的第一参考磁性层、在第一参考磁性层上的第二参考磁性层、在第一参考磁性层和第二参考磁性层之间的自由层、在第一参考磁性层和自由层之间的第一隧道势垒层、以及在第二参考磁性层和自由层之间的第二隧道势垒层。第一参考磁性层、第二参考磁性层和自由层均具有基本上垂直于衬底的顶表面的磁化方向。第一隧道势垒层的电阻面积积（RA）值大于第二隧道势垒层的RA值。

公开(公告)号：CN103633240A

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201310366932.3

申请日：2013-08-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴世忠 ,  金基雄 ,  金英铉 ,  金晥均 ,  朴相奂

IPC: H01L43/08 ,  G11C11/16

CPC classification number: H01L43/02 ,  B82Y25/00 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  H01F10/123 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/3286 ,  H01F10/3295 ,  H01L27/224 ,  H01L27/226 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

Abstract: 本发明提供了具有垂直磁性隧道结的磁性存储器件。该器件包括磁性隧道结，其中磁性隧道结包括自由层结构、钉扎层结构、和它们之间的隧道势垒。钉扎层结构可以包括具有本征垂直磁化特性的第一磁性层、具有本征平面内磁化特性的第二磁性层、和插入第一磁性层与第二磁性层之间的交换耦合层。交换耦合层可以具有使第一磁性层与第二磁性层之间的反铁磁交换耦合最大化的厚度，而第二磁性层可以至少部分地因为与第一磁性层的反铁磁交换耦合而展示出垂直磁化方向。

公开(公告)号：CN115988950A

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202211187812.2

申请日：2022-09-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李俊明 ,  金晥均 ,  卢恩仙 ,  郑峻昊 ,  赵泳俊

IPC: H10N50/10 ,  H10B61/00

Abstract: 一种磁性存储器件包括：顺序堆叠在衬底上的被钉扎的磁性图案、隧道势垒图案、自由磁性图案、扩散阻挡图案、非磁性图案和覆盖图案。扩散阻挡图案包括第一非磁性金属和氧。非磁性图案包括第二非磁性金属和氧。第一非磁性金属的氧化物形成能低于第二非磁性金属的氧化物形成能。

公开(公告)号：CN107681046B

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN201710650619.0

申请日：2017-08-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李俊明 ,  金晥均 ,  卢恩仙

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/02

Abstract: 本公开涉及磁存储器件。一种磁存储器件可以包括第一电极以及与第一电极间隔开的第一磁结构，其中第一磁结构可以在其中包括磁图案。氧化非磁图案可以被安置在第一磁结构与第一电极之间，其中氧化非磁图案可以包括非金属元素，所述非金属元素具有比约Fe的氧化物形成标准自由能更小的氧化物形成标准自由能。

公开(公告)号：CN111261771A

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN201910733076.8

申请日：2019-08-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴正宪 ,  金晥均 ,  李俊明 ,  郑峻昊 ,  皮雄焕

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/06 ,  H01L43/14 ,  H01L27/22

Abstract: 半导体器件可以包括在衬底上的第一存储单元和在衬底上并且邻近第一存储单元的第二存储单元。第一存储单元可以包括：第一参考层；第一存储层；在第一参考层和第一存储层之间的第一隧道层；以及与第一存储层接触的第一自旋轨道转矩(SOT)线。第二存储单元可以包括：第二参考层；第二存储层；在第二参考层和第二存储层之间的第二隧道层；邻近第二存储层的第二SOT线；以及在第二存储层和第二SOT线之间的增强层。