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公开(公告)号：CN112701157A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202011095367.8
申请日：2020-10-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/51 , H01L29/78 , H01L51/05 , H01L21/336
Abstract: 提供了电子器件和制造其的方法和系统。该电子器件包括电介质层，该电介质层包括具有被对准的晶向的晶粒，该电介质层可以在基板和栅电极之间。电介质层可以在隔开的第一电极和第二电极之间。制造电子器件的方法可以包括：准备具有沟道层的基板；在沟道层上形成电介质层；以及在电介质层上形成栅电极。
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公开(公告)号：CN101681933B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200880020930.6
申请日：2008-06-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 本发明提供了氧化物半导体和包含所述氧化物半导体的薄膜晶体管(TFT)。一种氧化物半导体包括Zn原子及添加到其中的Hf原子和Cr原子中的至少一种。一种薄膜晶体管(TFT)包括含有氧化物半导体的沟道，氧化物半导体包括Zn原子及添加到其中的Hf原子和Cr原子中的至少一种。
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公开(公告)号：CN101062579A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200710005411.X
申请日：2007-02-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B29C45/14434 , B29C45/14065
Abstract: 一种制造塑料边缘玻璃搁板的模具单元，包括：包含第一支撑框架形成凹槽的第一模具；包含第二支撑框架形成凹槽的第二模具；由第一支撑框架形成凹槽和第二支撑框架形成凹槽形成的支撑框架形成部分；容纳玻璃板的座部分；和支撑销，支撑销形成在支撑框架形成部分中并支撑玻璃板的边缘。
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公开(公告)号：CN114447222A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202110775788.3
申请日：2021-07-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L49/02 , H01L27/108
Abstract: 本发明涉及电子器件和包括其的半导体装置。半导体器件包括：下部电极；设置成与所述下部电极间隔开的上部电极；以及设置在所述下部电极和所述上部电极之间的介电层，所述介电层包括：第一金属氧化物区域，其包括以下的一种或多种：Hf、Zr、Nb、Ta、Pr、Nd、Gd、Dy、Yb、Pb、Zn、Si、Ti、Sr或Lu；第二金属氧化物区域，其包括以下的一种或多种：Y、Sc或Ce；和第三金属氧化物区域，其包括以下的一种或多种：Al、Mg或Be。
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公开(公告)号：CN101681933A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200880020930.6
申请日：2008-06-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 本发明提供了氧化物半导体和包含所述氧化物半导体的薄膜晶体管(TFT)。一种氧化物半导体包括Zn原子及添加到其中的Hf原子和Cr原子中的至少一种。一种薄膜晶体管(TFT)包括含有氧化物半导体的沟道，氧化物半导体包括Zn原子及添加到其中的Hf原子和Cr原子中的至少一种。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101236994A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200810009419.8
申请日：2008-02-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/792 , H01L29/51 , H01L27/115 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L29/7881 , H01L29/513 , H01L29/792
Abstract: 本发明公开了一种电荷捕获存储装置及其制造方法。根据示例实施例的电荷捕获存储装置可包括设置在基底上的隧穿绝缘层。电荷捕获层可设置在隧穿绝缘层上。阻挡绝缘层可设置在电荷捕获层上，其中，阻挡绝缘层可包含镧系元素(例如，镧)。阻挡绝缘层还可包含铝和氧，其中，镧系元素与铝的比率可以大于1(例如，大约1.5至大约2)。电荷捕获存储装置还可包括设置在电荷捕获层和阻挡绝缘层之间的缓冲层和设置在阻挡绝缘层上的栅电极。
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公开(公告)号：CN110246996B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN201811358148.7
申请日：2018-11-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01M50/242
Abstract: 提供一种电池壳结构和包括其的电池装置。电池壳结构可以包括：包括容纳区域的壳体，电池单位容纳在容纳区域中；以及弹性构件组件，提供在壳体中并被配置为向容纳在容纳区域中的电池单位施加压力。弹性构件组件可以包括至少一个第一弹性构件和至少一个第二弹性构件，第一弹性构件具有当位移增加时增大的弹性系数，第二弹性构件具有当位移增加时减小的弹性系数。所述至少一个第一弹性构件和所述至少一个第二弹性构件可以具有不同的结构或者可以布置在不同的方向上。
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公开(公告)号：CN113097303A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202010939673.9
申请日：2020-09-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L27/11502
Abstract: 提供了包括具有被调整的晶向的电介质层的电子器件、制造该电子器件的方法和包括该电子器件的存储器件。该电子器件包括提供在衬底上的籽晶层和提供在籽晶层上的电介质层。籽晶层包括具有被配向的晶向的晶粒。电介质层包括具有配向在与籽晶层的晶向相同的方向上的晶向的晶粒。
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公开(公告)号：CN1787624A
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：CN200510115084.4
申请日：2005-11-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/60
CPC classification number: G10H1/361 , G10H1/0008 , G10H1/22 , G10H1/46 , G10H2210/056 , G10H2220/106
Abstract: 提供一种在数字AV装置中管理声源的方法及其设备。在数字AV装置中管理声源的方法包括：从正通过数字AV装置再现的声音中提取至少一个声源；将图像映射到该提取的声源；和通过使用映射的图像来管理声源。另外，优选地，通过使用所述图像注册、改变、删除、选择性地再现或选择性地删除提取的声源。因此，通过独立的处理声源能够可视化地管理正在输出的声音，能够选择性地再现或移除期望的声音，从而能够增强数字AV装置的可利用性。
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公开(公告)号：CN1787624B
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN200510115084.4
申请日：2005-11-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/60
CPC classification number: G10H1/361 , G10H1/0008 , G10H1/22 , G10H1/46 , G10H2210/056 , G10H2220/106
Abstract: 提供一种在数字AV装置中管理声源的方法及其设备。在数字AV装置中管理声源的方法包括：从正通过数字AV装置再现的声音中提取至少一个声源；将图像映射到该提取的声源；和通过使用映射的图像来管理声源。另外，优选地，通过使用所述图像注册、改变、删除、选择性地再现或选择性地删除提取的声源。因此，通过独立的处理声源能够可视化地管理正在输出的声音，能够选择性地再现或移除期望的声音，从而能够增强数字AV装置的可利用性。
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