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公开(公告)号：CN110473880B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN201910127857.2
申请日：2019-02-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：衬底；第一导电类型的第一阱区和第二导电类型的第二阱区，所述第一阱区和所述第二阱区在所述衬底中彼此水平相邻地形成；掩埋绝缘层，所述掩埋绝缘层形成在所述第一阱区和所述第二阱区上；在所述掩埋绝缘层上的第一半导体层和所述第二半导体层，所述第一半导体层形成为与所述第一阱区垂直交叠，并且所述第二半导体层形成为与所述第二阱区垂直交叠；第一隔离层，所述第一隔离层形成在所述掩埋绝缘层上的所述第一半导体层和所述第二半导体层之间；以及导电层，所述导电层形成在所述第一半导体层和所述第二半导体层上以在所述第一半导体层和所述第二半导体层上延伸。
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公开(公告)号：CN110473880A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201910127857.2
申请日：2019-02-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：衬底；第一导电类型的第一阱区和第二导电类型的第二阱区，所述第一阱区和所述第二阱区在所述衬底中彼此水平相邻地形成；掩埋绝缘层，所述掩埋绝缘层形成在所述第一阱区和所述第二阱区上；在所述掩埋绝缘层上的第一半导体层和所述第二半导体层，所述第一半导体层形成为与所述第一阱区垂直交叠，并且所述第二半导体层形成为与所述第二阱区垂直交叠；第一隔离层，所述第一隔离层形成在所述掩埋绝缘层上的所述第一半导体层和所述第二半导体层之间；以及导电层，所述导电层形成在所述第一半导体层和所述第二半导体层上以在所述第一半导体层和所述第二半导体层上延伸。
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公开(公告)号：CN110246896B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN201910052818.0
申请日：2019-01-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06
Abstract: 提供了一种半导体装置以及制造该半导体装置的方法。所述半导体装置包括：至少一个有源图案，位于基底上；至少一个栅电极，与所述至少一个有源图案交叉；源极/漏极区域，位于所述至少一个有源图案上，源极/漏极区域位于所述至少一个栅电极的相对侧上；以及阻挡层，位于源极/漏极区域中的至少一个源极/漏极区域与所述至少一个有源图案之间，阻挡层至少位于源极/漏极区域的底部上并包括氧。
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公开(公告)号：CN110299359A
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201910120155.1
申请日：2019-02-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/06 , H01L21/8234
Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：有源图案，位于基底上；栅极结构，与有源图案交叉；源极/漏极图案，在栅极结构一侧处位于有源图案上；接触插塞，位于源极/漏极图案上；以及导电图案，位于源极/漏极图案与接触插塞之间，其中，源极/漏极图案包括与导电图案相邻的阻挡层，其中，阻挡层包括氧原子。
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公开(公告)号：CN110838447B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN201910757368.5
申请日：2019-08-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 提供了具有各种线宽的半导体器件以及制造该半导体器件的方法。该半导体器件包括：衬底，包括第一区域和第二区域；多条第一栅极线，在第一区域中在第一方向上延伸，并且每条第一栅极线在第二方向上具有第二宽度；多条第二栅极线，在第二区域中在第一方向上延伸，并且每条第二栅极线在第二方向上具有与第一宽度不同的第二宽度，该多条第二栅极线在第二方向上具有与多条第一栅极线在第二方向上的节距相同的节距；间隔物层，覆盖所述多条第一栅极线中的每条和所述多条第二栅极线中的每条的相反侧壁；以及第一基层，布置在第一区域中的衬底和间隔物层之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110739352A
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201910649082.5
申请日：2019-07-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，该半导体器件包括：衬底，包括第一阱区；设置在衬底上的栅电极；设置在衬底和栅电极之间的半导体图案；设置在衬底上且在栅电极的相对两侧的多个源极/漏极图案；杂质层，设置在衬底中且在半导体图案与第一阱区之间；以及阻挡层，设置在衬底中且在半导体图案与杂质层之间。阻挡层包括氧。
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公开(公告)号：CN117917772A
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN202311250732.1
申请日：2023-09-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L29/78 , H01L29/10
Abstract: 一种半导体器件包括：第一元件分隔结构、第二元件分隔结构和第三元件分隔结构，其沿着第一方向依次设置并且在与所述第一方向相交的第二方向上延伸；第一有源图案，其在所述第一元件分隔结构与所述第二元件分隔结构之间沿所述第一方向延伸；第二有源图案，其在所述第二元件分隔结构与所述第三元件分隔结构之间沿所述第一方向延伸并且通过所述第二元件分隔结构与所述第一有源图案分隔开；第一栅电极，其在所述第一有源图案上沿所述第二方向延伸；以及多个第二栅电极，其在所述第二有源图案上沿所述第二方向延伸，其中，所述第一有源图案在所述第二方向上的宽度大于所述第二有源图案在所述第二方向上的宽度。
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公开(公告)号：CN110246896A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201910052818.0
申请日：2019-01-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06
Abstract: 提供了一种半导体装置以及制造该半导体装置的方法。所述半导体装置包括：至少一个有源图案，位于基底上；至少一个栅电极，与所述至少一个有源图案交叉；源极/漏极区域，位于所述至少一个有源图案上，源极/漏极区域位于所述至少一个栅电极的相对侧上；以及阻挡层，位于源极/漏极区域中的至少一个源极/漏极区域与所述至少一个有源图案之间，阻挡层至少位于源极/漏极区域的底部上并包括氧。
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公开(公告)号：CN110838447A
公开(公告)日：2020-02-25
申请号：CN201910757368.5
申请日：2019-08-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 提供了具有各种线宽的半导体器件以及制造该半导体器件的方法。该半导体器件包括：衬底，包括第一区域和第二区域；多条第一栅极线，在第一区域中在第一方向上延伸，并且每条第一栅极线在第二方向上具有第二宽度；多条第二栅极线，在第二区域中在第一方向上延伸，并且每条第二栅极线在第二方向上具有与第一宽度不同的第二宽度，该多条第二栅极线在第二方向上具有与多条第一栅极线在第二方向上的节距相同的节距；间隔物层，覆盖所述多条第一栅极线中的每条和所述多条第二栅极线中的每条的相反侧壁；以及第一基层，布置在第一区域中的衬底和间隔物层之间。
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公开(公告)号：CN110828458A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201910396495.7
申请日：2019-05-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092
Abstract: 提供一种半导体器件，所述半导体器件包括：衬底，所述衬底包括第一区域至第三区域；第一晶体管，所述第一晶体管具有第一导电类型，并且设置在所述衬底的所述第一区域上且包括第一沟道层，其中所述第一沟道层包括第一材料；第二晶体管，所述第二晶体管具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型，并且设置在所述衬底的第二区域上且包括第二沟道层，其中所述第二沟道层包括所述第一材料；以及第三晶体管，所述第三晶体管具有所述第二导电类型，并且设置在所述衬底的所述第三区域上且包括第三沟道层，其中所述第三沟道层包括与所述第一材料不同的第二材料。
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