公开(公告)号：CN110246896B

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN201910052818.0

申请日：2019-01-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李栗 ,  益冈有里

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06

Abstract: 提供了一种半导体装置以及制造该半导体装置的方法。所述半导体装置包括：至少一个有源图案，位于基底上；至少一个栅电极，与所述至少一个有源图案交叉；源极/漏极区域，位于所述至少一个有源图案上，源极/漏极区域位于所述至少一个栅电极的相对侧上；以及阻挡层，位于源极/漏极区域中的至少一个源极/漏极区域与所述至少一个有源图案之间，阻挡层至少位于源极/漏极区域的底部上并包括氧。

公开(公告)号：CN110299359A

公开(公告)日：2019-10-01

申请号：CN201910120155.1

申请日：2019-02-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔秉夏 ,  益冈有里 ,  李栗

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L21/8234

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：有源图案，位于基底上；栅极结构，与有源图案交叉；源极/漏极图案，在栅极结构一侧处位于有源图案上；接触插塞，位于源极/漏极图案上；以及导电图案，位于源极/漏极图案与接触插塞之间，其中，源极/漏极图案包括与导电图案相邻的阻挡层，其中，阻挡层包括氧原子。

公开(公告)号：CN110246896A

公开(公告)日：2019-09-17

申请号：CN201910052818.0

申请日：2019-01-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李栗 ,  益冈有里

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06

Abstract: 提供了一种半导体装置以及制造该半导体装置的方法。所述半导体装置包括：至少一个有源图案，位于基底上；至少一个栅电极，与所述至少一个有源图案交叉；源极/漏极区域，位于所述至少一个有源图案上，源极/漏极区域位于所述至少一个栅电极的相对侧上；以及阻挡层，位于源极/漏极区域中的至少一个源极/漏极区域与所述至少一个有源图案之间，阻挡层至少位于源极/漏极区域的底部上并包括氧。