公开(公告)号：CN109390406A

公开(公告)日：2019-02-26

申请号：CN201810718141.5

申请日：2018-07-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹彰燮 ,  崔秉夏 ,  金旲根 ,  金秀珉 ,  朴世玩 ,  李志镐

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423

Abstract: 提供了一种半导体器件。该半导体器件包括鳍型图案、在鳍型图案的侧壁的一部分上的场绝缘膜、以及在鳍型图案和场绝缘膜上与鳍型图案相交的栅极电极。场绝缘膜上的栅极电极包括场绝缘膜上的第一部分、第二部分和第三部分。第一部分的第一宽度随着距场绝缘膜的第一距离增大而增大，第二部分的第二宽度随着距场绝缘膜的第二距离增大而减小，并且第三部分的第三宽度随着距场绝缘膜的第三距离增大而增大或基本恒定。

公开(公告)号：CN109390406B

公开(公告)日：2023-12-19

申请号：CN201810718141.5

申请日：2018-07-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹彰燮 ,  崔秉夏 ,  金旲根 ,  金秀珉 ,  朴世玩 ,  李志镐

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423

Abstract: 提供了一种半导体器件。该半导体器件包括鳍型图案、在鳍型图案的侧壁的一部分上的场绝缘膜、以及在鳍型图案和场绝缘膜上与鳍型图案相交的栅极电极。场绝缘膜上的栅极电极包括场绝缘膜上的第一部分、第二部分和第三部分。第一部分的第一宽度随着距场绝缘膜的第一距离增大而增大，第二部分的第二宽度随着距场绝缘膜的第二距离增大而减小，并且第三部分的第三宽度随着距场绝缘膜的第三距离增大而增大或基本恒定。

公开(公告)号：CN110299359A

公开(公告)日：2019-10-01

申请号：CN201910120155.1

申请日：2019-02-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔秉夏 ,  益冈有里 ,  李栗

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L21/8234

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：有源图案，位于基底上；栅极结构，与有源图案交叉；源极/漏极图案，在栅极结构一侧处位于有源图案上；接触插塞，位于源极/漏极图案上；以及导电图案，位于源极/漏极图案与接触插塞之间，其中，源极/漏极图案包括与导电图案相邻的阻挡层，其中，阻挡层包括氧原子。

公开(公告)号：CN117917772A

公开(公告)日：2024-04-23

申请号：CN202311250732.1

申请日：2023-09-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 严星海 ,  崔秉夏 ,  赵槿汇 ,  金成原 ,  益冈有里 ,  郑元哲

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H01L29/10

Abstract: 一种半导体器件包括：第一元件分隔结构、第二元件分隔结构和第三元件分隔结构，其沿着第一方向依次设置并且在与所述第一方向相交的第二方向上延伸；第一有源图案，其在所述第一元件分隔结构与所述第二元件分隔结构之间沿所述第一方向延伸；第二有源图案，其在所述第二元件分隔结构与所述第三元件分隔结构之间沿所述第一方向延伸并且通过所述第二元件分隔结构与所述第一有源图案分隔开；第一栅电极，其在所述第一有源图案上沿所述第二方向延伸；以及多个第二栅电极，其在所述第二有源图案上沿所述第二方向延伸，其中，所述第一有源图案在所述第二方向上的宽度大于所述第二有源图案在所述第二方向上的宽度。