公开(公告)号：CN110473880B

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN201910127857.2

申请日：2019-02-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔训诚 ,  朴东一 ,  益冈有里

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/77

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：衬底；第一导电类型的第一阱区和第二导电类型的第二阱区，所述第一阱区和所述第二阱区在所述衬底中彼此水平相邻地形成；掩埋绝缘层，所述掩埋绝缘层形成在所述第一阱区和所述第二阱区上；在所述掩埋绝缘层上的第一半导体层和所述第二半导体层，所述第一半导体层形成为与所述第一阱区垂直交叠，并且所述第二半导体层形成为与所述第二阱区垂直交叠；第一隔离层，所述第一隔离层形成在所述掩埋绝缘层上的所述第一半导体层和所述第二半导体层之间；以及导电层，所述导电层形成在所述第一半导体层和所述第二半导体层上以在所述第一半导体层和所述第二半导体层上延伸。

公开(公告)号：CN110473880A

公开(公告)日：2019-11-19

申请号：CN201910127857.2

申请日：2019-02-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔训诚 ,  朴东一 ,  益冈有里

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/77

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：衬底；第一导电类型的第一阱区和第二导电类型的第二阱区，所述第一阱区和所述第二阱区在所述衬底中彼此水平相邻地形成；掩埋绝缘层，所述掩埋绝缘层形成在所述第一阱区和所述第二阱区上；在所述掩埋绝缘层上的第一半导体层和所述第二半导体层，所述第一半导体层形成为与所述第一阱区垂直交叠，并且所述第二半导体层形成为与所述第二阱区垂直交叠；第一隔离层，所述第一隔离层形成在所述掩埋绝缘层上的所述第一半导体层和所述第二半导体层之间；以及导电层，所述导电层形成在所述第一半导体层和所述第二半导体层上以在所述第一半导体层和所述第二半导体层上延伸。