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发明公开
包括场效应晶体管的半导体器件审中-公开

公开(公告)号：CN110739352A

公开(公告)日：2020-01-31

申请号：CN201910649082.5

申请日：2019-07-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金珍永 , 益冈有里

IPC: H01L29/78 , H01L29/06

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，该半导体器件包括：衬底，包括第一阱区；设置在衬底上的栅电极；设置在衬底和栅电极之间的半导体图案；设置在衬底上且在栅电极的相对两侧的多个源极/漏极图案；杂质层，设置在衬底中且在半导体图案与第一阱区之间；以及阻挡层，设置在衬底中且在半导体图案与杂质层之间。阻挡层包括氧。

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