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公开(公告)号:CN117917772A
公开(公告)日:2024-04-23
申请号:CN202311250732.1
申请日:2023-09-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L29/78 , H01L29/10
Abstract: 一种半导体器件包括:第一元件分隔结构、第二元件分隔结构和第三元件分隔结构,其沿着第一方向依次设置并且在与所述第一方向相交的第二方向上延伸;第一有源图案,其在所述第一元件分隔结构与所述第二元件分隔结构之间沿所述第一方向延伸;第二有源图案,其在所述第二元件分隔结构与所述第三元件分隔结构之间沿所述第一方向延伸并且通过所述第二元件分隔结构与所述第一有源图案分隔开;第一栅电极,其在所述第一有源图案上沿所述第二方向延伸;以及多个第二栅电极,其在所述第二有源图案上沿所述第二方向延伸,其中,所述第一有源图案在所述第二方向上的宽度大于所述第二有源图案在所述第二方向上的宽度。
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