-
公开(公告)号：CN110828458A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201910396495.7
申请日：2019-05-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092
Abstract: 提供一种半导体器件，所述半导体器件包括：衬底，所述衬底包括第一区域至第三区域；第一晶体管，所述第一晶体管具有第一导电类型，并且设置在所述衬底的所述第一区域上且包括第一沟道层，其中所述第一沟道层包括第一材料；第二晶体管，所述第二晶体管具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型，并且设置在所述衬底的第二区域上且包括第二沟道层，其中所述第二沟道层包括所述第一材料；以及第三晶体管，所述第三晶体管具有所述第二导电类型，并且设置在所述衬底的所述第三区域上且包括第三沟道层，其中所述第三沟道层包括与所述第一材料不同的第二材料。
Search Results
1
records
(took 0.015 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
