公开(公告)号：CN115688503A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202210910287.6

申请日：2022-07-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金承贤 ,  全柱炫 ,  朴载星 ,  金性珍 ,  洪成德

IPC: G06F30/23 ,  G06T17/20 ,  G06F119/08

Abstract: 提供了一种模拟系统。该模拟系统包括处理器，以及存储模拟程序的存储装置，该模拟程序在由处理器执行时使处理器使用有限差分法(FDM)来计算由提供给模拟域的光能产生的热能数据，基于计算的热能数据使用有限元法(FEM)计算模拟域随时间的温度改变数据和计算模拟域随时间的相改变数据，并使用计算的温度改变数据和计算的相改变数据来计算模拟域的硅损失。

公开(公告)号：CN115130418A

公开(公告)日：2022-09-30

申请号：CN202210146758.0

申请日：2022-02-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李相运 ,  全柱炫 ,  金性珍 ,  金承贤 ,  卢元基 ,  朴彻佑 ,  卞诚载 ,  安泰玧 ,  郑孝恩

IPC: G06F30/39 ,  H01L21/66

Abstract: 提供了对由入射粒子引起的晶体的损伤进行建模的系统和方法。所述对由入射粒子引起的晶体的损伤进行建模的方法包括：获得粒子信息和晶体信息；基于粒子信息和晶体信息，估计入射粒子的能量损失；基于能量损失，估计空位的体积；基于晶体信息和空位的体积，估计空位反应；以及基于空位反应生成输出数据，输出数据包括所述损伤的量化数据。