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发明公开
半导体存储器装置审中-公开

公开(公告)号：CN119521656A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202410729145.9

申请日：2024-06-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李周昊 , 李侑烈 , 金承贤 , 卞诚载 , 洪成德

IPC: H10B12/00 , H10D62/17

Abstract: 提供了半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：位线，其在衬底上；突出绝缘图案，其在位线上并在沟道沟槽中；第一沟道图案和第二沟道图案，其沿着沟道沟槽的侧壁延伸，并且在第一方向上彼此间隔开；沟道界面层，其沿着沟道沟槽的侧壁延伸，并且与第一沟道图案和第二沟道图案接触；第一字线，其在第一沟道图案和第二沟道图案之间；第二字线，其在第一沟道图案和第二沟道图案之间，并且在第一方向上与第一字线间隔开；以及第一电容器和第二电容器，其分别电连接到第一沟道图案和第二沟道图案。

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