公开(公告)号：CN112397384A

公开(公告)日：2021-02-23

申请号：CN202010781737.7

申请日：2020-08-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金昇辰 ,  李炳铉 ,  崔允荣 ,  金兑奎 ,  全喜淑 ,  崔辅友 ,  洪贤实

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/033

Abstract: 可以提供一种制造半导体器件的方法，该方法包括：准备包括晶片内部区域和晶片边缘区域的基板，该晶片内部区域包括芯片区域和划片槽区域；在基板上依次堆叠模制层和支撑层；在支撑层上形成第一掩模层，第一掩模层包括在晶片边缘区域上的第一台阶区域；在第一台阶区域上形成台阶差补偿图案；在第一掩模层和台阶差补偿图案上形成包括开口的第二掩模图案；以及使用第二掩模图案作为蚀刻掩模依次蚀刻第一掩模层、支撑层和模制层以在至少模制层中形成多个孔。

公开(公告)号：CN118317596A

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202311296710.9

申请日：2023-10-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昊仁 ,  李炳铉 ,  李镐旭

IPC: H10B12/00

Abstract: 提供了一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括：衬底，其包括单元阵列区和设置在单元阵列区周围的核心区；多个存储元件接触件；接触插塞；以及接触插塞间隔件。多个存储元件接触件可以包括第一存储元件接触件和至少一个第二存储元件接触件，第一存储元件接触件是多个存储元件接触件中最靠近核心区的存储元件接触件，使得第一存储元件接触件位于核心区和至少一个第二存储元件接触件之间。第一存储元件接触件的顶表面和至少一个第二存储元件接触件的顶表面之间在垂直于衬底的竖直方向上的台阶差为5nm或更小。

公开(公告)号：CN112838163A

公开(公告)日：2021-05-25

申请号：CN202011324611.3

申请日：2020-11-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔允荣 ,  金昇辰 ,  李炳铉 ,  朴相在

IPC: H01L49/02 ,  H01L27/108

Abstract: 一种半导体器件可以包括：在衬底上的多个下电极；在相邻下电极之间并且包括金属材料的第一电极支撑件；在下电极和第一电极支撑件上以沿第一电极支撑件和每个下电极的轮廓延伸的介电层；以及在介电层上的上电极。

公开(公告)号：CN112750830A

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN202010939805.8

申请日：2020-09-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金昇辰 ,  林晟洙 ,  金锡来 ,  权赫宇 ,  李炳铉 ,  崔允荣

IPC: H01L27/108 ,  H01L29/41

Abstract: 提供了一种集成电路半导体装置。所述集成电路半导体装置包括：多个圆柱形结构，在基底上彼此分离；以及多个支撑件，具有暴露所述多个圆柱形结构的侧表面的开口区，所述多个支撑件与所述多个圆柱形结构的侧表面接触并且支撑所述多个圆柱形结构，其中，在竖直剖视图中，所述多个支撑件中的每个支撑件具有具备坡度的两个侧表面并且具有比底部宽度小的顶部宽度。

公开(公告)号：CN100481393C

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200410058690.2

申请日：2004-07-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金大焕 ,  许民 ,  申东原 ,  李炳铉

IPC: H01L21/8242 ,  H01L21/82 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L28/91 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10855

Abstract: 对于制造自由倾斜的叠层电容器，通过材料层形成开口，材料层包括从开口底部转移的支撑材料层。在每个开口内形成用于各个电容器的各个第一电极。构图支撑材料层，以形成围绕第一电极的支撑结构。围绕第一电极的露出顶部形成掩模隔片，以及刻蚀掉支撑材料的露出部分以形成支撑结构。这种叠层电容器应用在DRAM(动态随机存取存储器)中。

公开(公告)号：CN118522653A

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202311622220.3

申请日：2023-11-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林真男 ,  李昊仁 ,  李东均 ,  梁相喆 ,  李炳铉

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/027 ,  H01L21/68 ,  G03F7/20

Abstract: 一种制造半导体器件的方法可以包括：通过执行第一曝光工艺在第一晶片上形成目标图案；测量目标图案的未对准值；基于未对准值计算块未对准值和图案未对准值；基于块未对准值计算块校正值，基于图案未对准值计算图案校正值；以及基于块校正值和图案校正值对第二晶片执行第二曝光工艺。

公开(公告)号：CN112309985A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN202010674997.4

申请日：2020-07-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔允荣 ,  李炳铉 ,  具炳周 ,  金昇辰 ,  朴相在 ,  裵珍宇 ,  李翰杰 ,  崔辅友 ,  洪贤宝

IPC: H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L49/02

Abstract: 提供了制造电容器和半导体器件的方法(即，电容器形成方法和半导体器件形成方法)以及半导体器件和包括该半导体器件的装置。所述电容器形成方法可以包括：在基底上顺序地形成第一模制层、第一支撑材料层和第二模制层；在第二模制层上形成掩模图案；使用掩模图案作为掩模在第二模制层、第一支撑材料层和第一模制层中形成凹部；在凹部中形成下电极；通过干法清洁工艺去除掩模图案；减小下电极的上部的宽度；去除第一模制层；在下电极的表面上形成介电层；以及在介电层上形成上电极。

公开(公告)号：CN1655339A

公开(公告)日：2005-08-17

申请号：CN200410058690.2

申请日：2004-07-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金大焕 ,  许民 ,  申东原 ,  李炳铉

IPC: H01L21/8242 ,  H01L21/82 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L28/91 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10855

Abstract: 对于制造自由倾斜的叠层电容器，通过材料层形成开口，材料层包括从开口底部转移的支撑材料层。在每个开口内形成用于各个电容器的各个第一电极。构图支撑材料层，以形成围绕第一电极的支撑结构。围绕第一电极的露出顶部形成掩模隔片，以及刻蚀掉支撑材料的露出部分以形成支撑结构。这种叠层电容器应用在DRAM(动态随机存取存储器)中。