公开(公告)号：CN112309985A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN202010674997.4

申请日：2020-07-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔允荣 ,  李炳铉 ,  具炳周 ,  金昇辰 ,  朴相在 ,  裵珍宇 ,  李翰杰 ,  崔辅友 ,  洪贤宝

IPC: H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L49/02

Abstract: 提供了制造电容器和半导体器件的方法(即，电容器形成方法和半导体器件形成方法)以及半导体器件和包括该半导体器件的装置。所述电容器形成方法可以包括：在基底上顺序地形成第一模制层、第一支撑材料层和第二模制层；在第二模制层上形成掩模图案；使用掩模图案作为掩模在第二模制层、第一支撑材料层和第一模制层中形成凹部；在凹部中形成下电极；通过干法清洁工艺去除掩模图案；减小下电极的上部的宽度；去除第一模制层；在下电极的表面上形成介电层；以及在介电层上形成上电极。