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公开(公告)号：CN118522653A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202311622220.3
申请日：2023-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/66 , H01L21/027 , H01L21/68 , G03F7/20
Abstract: 一种制造半导体器件的方法可以包括：通过执行第一曝光工艺在第一晶片上形成目标图案；测量目标图案的未对准值；基于未对准值计算块未对准值和图案未对准值；基于块未对准值计算块校正值，基于图案未对准值计算图案校正值；以及基于块校正值和图案校正值对第二晶片执行第二曝光工艺。
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