公开(公告)号：CN110545093B

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN201910131817.5

申请日：2019-02-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林良彦 ,  浪冈真哉 ,  李昌恩 ,  金成烈 ,  高时永 ,  柳亨善 ,  李长烨 ,  郑信基

IPC: H03K5/135 ,  G01R31/26

Abstract: 提供了半导体装置以及半导体测试设备。所述半导体装置包括信号发生器以及解码和时序偏斜调整电路。所述信号发生器被配置为接收n个具有m个信号电平的多电平信号，并将所述n个多电平信号转换成n*(m‑1)个具有两个信号电平的单电平信号。所述解码和时序偏斜调整电路被配置为接收所述单电平信号，对所述单电平信号执行预定义操作以产生输出信号，并使用所述单电平信号补偿所述n个多电平信号之间的时序偏斜。n和m是自然数，其中，n>＝2并且m>＝3。

公开(公告)号：CN116364513A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202211629767.1

申请日：2022-12-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 陈厦东 ,  高时永 ,  金南均 ,  李庆旼 ,  林成龙 ,  金成烈 ,  沈承辅

IPC: H01J37/32

Abstract: 提供了一种等离子体控制装置，包括：等离子体电极，设置在等离子体腔室中，并且具有基频的射频(RF)功率被施加到该等离子体电极以生成等离子体；边缘电极，与等离子体电极相邻设置，并且对应于等离子体边缘边界区；以及等离子体控制电路，电连接到边缘电极，该等离子体控制电路被配置为控制基频分量、由等离子体的非线性生成的谐波分量以及由基频分量和谐波分量中的每一个和等离子体腔室中的频率分量生成的互调失真频率分量在等离子体边缘边界区中的电边界条件，其中，等离子体控制电路被配置为改变电边界条件以控制等离子体腔室中的驻波。

公开(公告)号：CN110545093A

公开(公告)日：2019-12-06

申请号：CN201910131817.5

申请日：2019-02-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林良彦 ,  浪冈真哉 ,  李昌恩 ,  金成烈 ,  高时永 ,  柳亨善 ,  李长烨 ,  郑信基

IPC: H03K5/135 ,  G01R31/26

Abstract: 提供了半导体装置以及半导体测试设备。所述半导体装置包括信号发生器以及解码和时序偏斜调整电路。所述信号发生器被配置为接收n个具有m个信号电平的多电平信号，并将所述n个多电平信号转换成n*(m-1)个具有两个信号电平的单电平信号。所述解码和时序偏斜调整电路被配置为接收所述单电平信号，对所述单电平信号执行预定义操作以产生输出信号，并使用所述单电平信号补偿所述n个多电平信号之间的时序偏斜。n和m是自然数，其中，n>＝2并且m>＝3。