公开(公告)号：CN105990445A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201610147006.0

申请日：2016-03-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁志玟 ,  权奇相 ,  李珍旭 ,  高绮亨 ,  朴相真 ,  白在职 ,  尹普彦 ,  尹智园

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：栅极间隔件，其在衬底上限定沟槽，并且包括上部和下部；栅极绝缘膜，其沿着沟槽的侧壁和底表面延伸，并且不与栅极间隔件的上部接触；下导电膜，其在栅极绝缘膜上沿着沟槽的侧壁和底表面延伸，并且不与栅极间隔件的上部重叠；以及上导电膜，其位于下导电膜上且位于栅极绝缘膜的最上面的部分上。

公开(公告)号：CN116583105A

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202310045511.4

申请日：2023-01-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金台原 ,  尹智园 ,  金俞琳 ,  李柾汉 ,  卓容奭

IPC: H10B12/00 ,  H01L29/24

Abstract: 一种半导体设备包括：位线，其在衬底上在第一水平方向上延伸；沟道层，其位于位线上，沟道层在竖直方向上延伸，包括包含铟的第一氧化物半导体材料，并且具有第一侧壁和第二侧壁；字线，其位于沟道层的第一侧壁上；接触形成区域，其位于沟道层的顶表面和第二侧壁的上部上，接触形成区域包括包含铟并且具有比沟道层的电阻率低的电阻率的第二氧化物半导体材料；接触层，其位于接触形成区域上；以及电容器结构，其位于接触层的顶表面上。

公开(公告)号：CN105990445B

公开(公告)日：2020-11-10

申请号：CN201610147006.0

申请日：2016-03-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁志玟 ,  权奇相 ,  李珍旭 ,  高绮亨 ,  朴相真 ,  白在职 ,  尹普彦 ,  尹智园

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：栅极间隔件，其在衬底上限定沟槽，并且包括上部和下部；栅极绝缘膜，其沿着沟槽的侧壁和底表面延伸，并且不与栅极间隔件的上部接触；下导电膜，其在栅极绝缘膜上沿着沟槽的侧壁和底表面延伸，并且不与栅极间隔件的上部重叠；以及上导电膜，其位于下导电膜上且位于栅极绝缘膜的最上面的部分上。