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公开(公告)号：CN1123976C
公开(公告)日：2003-10-08
申请号：CN98808931.9
申请日：1998-09-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H03M7/00
CPC classification number: H04L1/0057 , H04L1/0041 , H04L1/04
Abstract: 一种在具有Nf个频率信道和Np个相位信道的移动通信系统中的代码集发生方法。该方法中，由NfxNp得到代码长度Nc；确定代码集中各码字之间的最小距离Nd及频率分集Nfd，并根据Nc、Nd和Nfd来检测各代码集；及从所检测的代码集中选择表示使解调误差最小的各码字之间的汉明距分布的代码集，并将该代码集存储在一解调器中的映射表中。
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公开(公告)号：CN108538810B
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN201710888495.X
申请日：2017-09-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L27/088
Abstract: 提供了一种集成电路装置。所述集成电路装置包括：绝缘膜，位于基底上；下布线层，贯穿绝缘膜的至少一部分，下布线层包括第一金属；下导电阻挡膜，围绕下布线层的底表面和侧壁，下导电阻挡膜包括与第一金属不同的第二金属；第一金属硅化物盖层，覆盖下布线层的顶表面，第一金属硅化物盖层包括第一金属；第二金属硅化物盖层，接触第一金属硅化物盖层并且设置在下导电阻挡膜上，第二金属硅化物盖层包括第二金属。
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公开(公告)号：CN109545707A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811088273.0
申请日：2018-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 公开了超临界处理腔室和用于处理基板的设备。该处理腔室包括：主体框架，其具有突起和凹室，突起从主体框架的第一表面竖直向上突出，凹室由主体框架的突起和第一表面限定；罩框架；缓冲腔室，缓冲腔室布置在主体框架和罩框架之间；以及连接器。缓冲腔室包括：内部容器，其可拆卸地联接到主体框架，从而在凹室中提供腔室空间；以及内部罩，内部罩可拆卸地联接到罩框架。内部罩与内部容器的第一表面接触，从而封闭腔室空间使其与周围环境隔绝。连接器联接主体框架和罩框架，使缓冲腔室布置在主体框架和罩框架之间，使得封闭的腔室空间转变成在其中执行超临界处理的处理空间。
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公开(公告)号：CN108538810A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201710888495.X
申请日：2017-09-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L27/088
CPC classification number: H01L23/53204 , H01L21/28518 , H01L21/76847 , H01L21/76849 , H01L21/76855 , H01L21/76879 , H01L21/76889 , H01L23/5226 , H01L29/785
Abstract: 提供了一种集成电路装置。所述集成电路装置包括：绝缘膜，位于基底上；下布线层，贯穿绝缘膜的至少一部分，下布线层包括第一金属；下导电阻挡膜，围绕下布线层的底表面和侧壁，下导电阻挡膜包括与第一金属不同的第二金属；第一金属硅化物盖层，覆盖下布线层的顶表面，第一金属硅化物盖层包括第一金属；第二金属硅化物盖层，接触第一金属硅化物盖层并且设置在下导电阻挡膜上，第二金属硅化物盖层包括第二金属。
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公开(公告)号：CN1881531A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200610093739.7
申请日：2006-06-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/82 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L21/02068 , H01L27/10817 , H01L27/10852 , H01L28/91
Abstract: 在处理半导体结构的方法和使用其形成半导体器件的电容器的方法中，可以使用具有小于水的表面张力的清洗溶液来清洗半导体衬底。可以在异丙醇蒸气气氛中干燥半导体结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1700425A
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：CN200510073964.X
申请日：2005-05-19
Applicant: 三星电子株式会社 , 高科技实美化学株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L21/311 , H01L21/3213 , C11D7/32 , C11D7/00 , C11D3/00 , C11D1/00
CPC classification number: H01L21/02071 , C11D3/0084 , C11D7/3281 , C11D11/0047 , C23G1/106
Abstract: 一种用于半导体晶片处理的腐蚀－抑制清洗组合物，包含约0.5wt％至约5wt％的浓度范围的双氧水、约1wt％至约10wt％的浓度范围的硫酸、约0.01wt％至约1wt％的浓度范围的氢氟酸；约0.1wt％至约5wt％的浓度范围的唑和去离子水。在清洗工序过程中，唑通过与金属层表面螯合抑制待清洗金属层被腐蚀。
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公开(公告)号：CN1654713A
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN200510009448.0
申请日：2005-02-16
Applicant: 三星电子株式会社 , 东友FINE-CHEM.株式会社
IPC: C23G5/036 , H01L21/30 , H01L21/82 , H01L21/8239
CPC classification number: H01L21/02071 , C11D3/0073 , C11D3/042 , C11D3/046 , C11D3/2082 , C11D3/30 , C11D3/364 , C11D3/39 , C11D3/3947 , C11D11/0047 , C23G1/106
Abstract: 一种用于半导体晶片处理的防腐蚀清洁剂，该清洁剂包括至少由水、表面活性剂和防腐蚀化合物构成的水混合物，其中防腐蚀化合物选自由氨基磷酸酯、聚胺和聚羧酸组成的组中。混合物中的防腐蚀化合物的量优选在从大约0.0001wt％至大约0.1wt％的范围内，而表面活性剂的量优选在从大约0.001wt％至大约1.0wt％的范围内。该水混合物还可以包括用作氧化物蚀刻剂的硫酸和氟化物以及用作金属蚀刻剂的过氧化物。
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公开(公告)号：CN1213942A
公开(公告)日：1999-04-14
申请号：CN98118486.3
申请日：1998-08-20
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李光旭
IPC: H04Q7/20
Abstract: 一种半软切换方法和系统。当基站用多频信道时,移动台在小区间移动,处理当前呼叫的频率上的服务在待进入的目的小区内不能提供,为保证呼叫的连续性,基站检查所有邻近小区的频率分配状况,设定所有小区的多个共同频率。基站管理从多个共同频率选择的共同频率的业务量。收到切换需求消息后,基站检查最小负载的共同频率。然后基站执行小区内频率间硬切换到相应的共同频率,用共同频率执行软切换到目的小区。
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公开(公告)号：CN1273712A
公开(公告)日：2000-11-15
申请号：CN98808931.9
申请日：1998-09-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H03M7/00
CPC classification number: H04L1/0057 , H04L1/0041 , H04L1/04
Abstract: 一种在具有Nf个频率信道和Np个相位信道的移动通信系统中的代码集发生方法。该方法中,由NfxNp得到代码长度Nc;确定代码集中各码字之间的最小距离Nd及频率分集Nfd,并根据Nc、Nd和Nfd来检测各代码集;及从所检测的代码集中选择表示使解调误差最小的各码字之间的汉明距分布的代码集,并将该代码集存储在一解调器中的映射表中。
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公开(公告)号：CN1117495C
公开(公告)日：2003-08-06
申请号：CN98118486.3
申请日：1998-08-20
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李光旭
IPC: H04Q7/20
Abstract: 一种半软切换方法和系统。当基站用多频信道时，移动台在小区间移动，处理当前呼叫的频率上的服务在待进入的目的小区内不能提供，为保证呼叫的连续性，基站检查所有邻近小区的频率分配状况，设定所有小区的多个共同频率。基站管理从多个共同频率选择的共同频率的业务量。收到切换需求消息后，基站检查最小负载的共同频率。然后基站执行小区内频率间硬切换到相应的共同频率，用共同频率执行软切换到目的小区。
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