公开(公告)号：CN106057872A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610239698.1

申请日：2016-04-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋在烈 ,  金完敦 ,  玄尚镇 ,  李珍旭 ,  权奇相 ,  高绮亨 ,  明成禹

IPC: H01L29/423

Abstract: 本发明提供了一种包括具有相对窄的宽度和相对小的间距的栅线的半导体器件以及一种制造该半导体器件的方法，所述半导体器件包括：衬底，其具有鳍式有源区；栅极绝缘层，其覆盖鳍式有源区的上表面和侧部；以及栅线，其延伸并且与鳍式有源区交叉同时覆盖鳍式有源区的上表面和两侧，栅线位于栅极绝缘层上，其中在垂直于栅线的延伸方向的剖面中，栅线的上表面的中心部分具有凹进形状。

公开(公告)号：CN105990445B

公开(公告)日：2020-11-10

申请号：CN201610147006.0

申请日：2016-03-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁志玟 ,  权奇相 ,  李珍旭 ,  高绮亨 ,  朴相真 ,  白在职 ,  尹普彦 ,  尹智园

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：栅极间隔件，其在衬底上限定沟槽，并且包括上部和下部；栅极绝缘膜，其沿着沟槽的侧壁和底表面延伸，并且不与栅极间隔件的上部接触；下导电膜，其在栅极绝缘膜上沿着沟槽的侧壁和底表面延伸，并且不与栅极间隔件的上部重叠；以及上导电膜，其位于下导电膜上且位于栅极绝缘膜的最上面的部分上。

公开(公告)号：CN106206595A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610365474.5

申请日：2016-05-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴相真 ,  高绮亨 ,  权奇相 ,  白在职 ,  尹普彦 ,  高镛璇

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L27/0924 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823828 ,  H01L23/485 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/7848 ,  H01L27/11524

Abstract: 本公开提供了半导体器件及其制造方法。第一导电类型的鳍式场效应晶体管器件可以包括具有第一蚀刻速率的第一材料的第一嵌入的源极/漏极。第一嵌入的源极/漏极可以每个包括具有凹陷部分和相对于凹陷部分的外凸起部分的上表面。第二导电类型的鳍式场效应晶体管器件可以包括具有第二蚀刻速率的第二材料的第二嵌入的源极/漏极，该第二蚀刻速率大于第一蚀刻速率。第二嵌入的源极/漏极可以每个包括处于与第一导电类型的鳍式场效应晶体管器件的外凸起部分不同的水平的上表面。

公开(公告)号：CN115881643A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202210890089.8

申请日：2022-07-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔庆寅 ,  金东明 ,  柳亥俊 ,  高绮亨 ,  柳志昊 ,  郑舜旭

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 一种半导体器件包括提供在衬底上的有源图案、提供在有源图案上的源极/漏极图案、被配置为连接到源极/漏极图案的沟道图案、被配置为在第一方向上延伸并与沟道图案交叉的栅电极、以及提供在栅电极的侧表面上的第一间隔物。源极/漏极图案包括主体部分以及在主体部分和有源图案之间的颈部分。第一间隔物包括提供在有源图案的侧表面上并且在源极/漏极图案的主体部分之下的栅栏部分。主体部分包括被配置为从颈部分倾斜延伸的结晶表面。结晶表面被配置为与栅栏部分的最上部间隔开。

公开(公告)号：CN106057872B

公开(公告)日：2020-08-28

申请号：CN201610239698.1

申请日：2016-04-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋在烈 ,  金完敦 ,  玄尚镇 ,  李珍旭 ,  权奇相 ,  高绮亨 ,  明成禹

IPC: H01L29/423

Abstract: 本发明提供了一种包括具有相对窄的宽度和相对小的间距的栅线的半导体器件以及一种制造该半导体器件的方法，所述半导体器件包括：衬底，其具有鳍式有源区；栅极绝缘层，其覆盖鳍式有源区的上表面和侧部；以及栅线，其延伸并且与鳍式有源区交叉同时覆盖鳍式有源区的上表面和两侧，栅线位于栅极绝缘层上，其中在垂直于栅线的延伸方向的剖面中，栅线的上表面的中心部分具有凹进形状。

公开(公告)号：CN105990445A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201610147006.0

申请日：2016-03-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁志玟 ,  权奇相 ,  李珍旭 ,  高绮亨 ,  朴相真 ,  白在职 ,  尹普彦 ,  尹智园

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：栅极间隔件，其在衬底上限定沟槽，并且包括上部和下部；栅极绝缘膜，其沿着沟槽的侧壁和底表面延伸，并且不与栅极间隔件的上部接触；下导电膜，其在栅极绝缘膜上沿着沟槽的侧壁和底表面延伸，并且不与栅极间隔件的上部重叠；以及上导电膜，其位于下导电膜上且位于栅极绝缘膜的最上面的部分上。