公开(公告)号：CN110299321B

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN201910071670.5

申请日：2019-01-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裴根熙 ,  康诚右 ,  权奇相 ,  李东锡 ,  李相炫 ,  李正允 ,  全庸淏

IPC: H01L21/768 ,  H10D30/01 ,  H10D30/60

Abstract: 提供了一种具有改进的产品可靠性的半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：衬底；位于所述衬底上的栅电极；位于所述栅电极的侧壁上的第一间隔物；位于所述第一间隔物的侧壁上的导电接触，所述导电接触突出超过所述栅电极的顶表面；由所述栅电极的顶表面、所述第一间隔物的顶表面和所述导电接触的侧壁限定的沟槽；沿着所述沟槽的至少部分侧壁和所述沟槽的底表面延伸的蚀刻停止层；以及位于所述蚀刻停止层上并且填充所述沟槽的覆盖图案，其中，所述覆盖图案包括氧化硅或介电常数低于氧化硅的介电常数的低k材料。

公开(公告)号：CN110752212B

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN201910374990.8

申请日：2019-05-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李相炫 ,  康诚右 ,  裴根熙 ,  安学润 ,  吴省翰 ,  吴怜默

IPC: H01L27/088 ,  H10B10/00

Abstract: 半导体器件包括：栅极，在衬底上沿第一方向延伸，所述栅极中的每个栅极包括栅极绝缘层、栅电极和第一间隔物；第一接触插塞，在所述栅极中的相邻栅极之间与衬底接触，第一接触插塞与所述栅极中的相应栅极的侧壁间隔开；第二接触插塞，与相应栅电极的上表面相接触，第二接触插塞在所述第一接触插塞之间；以及绝缘间隔物，在第二接触插塞和相邻的第一接触插塞之间的间隙中，绝缘间隔物接触第二接触插塞和相邻的第一接触插塞的侧壁，并且第二接触插塞和相邻的第一接触插塞的上表面基本上彼此共面。

公开(公告)号：CN110752212A

公开(公告)日：2020-02-04

申请号：CN201910374990.8

申请日：2019-05-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李相炫 ,  康诚右 ,  裴根熙 ,  安学润 ,  吴省翰 ,  吴怜默

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/11

Abstract: 半导体器件包括：栅极，在衬底上沿第一方向延伸，所述栅极中的每个栅极包括栅极绝缘层、栅电极和第一间隔物；第一接触插塞，在所述栅极中的相邻栅极之间与衬底接触，第一接触插塞与所述栅极中的相应栅极的侧壁间隔开；第二接触插塞，与相应栅电极的上表面相接触，第二接触插塞在所述第一接触插塞之间；以及绝缘间隔物，在第二接触插塞和相邻的第一接触插塞之间的间隙中，绝缘间隔物接触第二接触插塞和相邻的第一接触插塞的侧壁，并且第二接触插塞和相邻的第一接触插塞的上表面基本上彼此共面。

公开(公告)号：CN110299321A

公开(公告)日：2019-10-01

申请号：CN201910071670.5

申请日：2019-01-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裴根熙 ,  康诚右 ,  权奇相 ,  李东锡 ,  李相炫 ,  李正允 ,  全庸淏

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了一种具有改进的产品可靠性的半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：衬底；位于所述衬底上的栅电极；位于所述栅电极的侧壁上的第一间隔物；位于所述第一间隔物的侧壁上的导电接触，所述导电接触突出超过所述栅电极的顶表面；由所述栅电极的顶表面、所述第一间隔物的顶表面和所述导电接触的侧壁限定的沟槽；沿着所述沟槽的至少部分侧壁和所述沟槽的底表面延伸的蚀刻停止层；以及位于所述蚀刻停止层上并且填充所述沟槽的覆盖图案，其中，所述覆盖图案包括氧化硅或介电常数低于氧化硅的介电常数的低k材料。