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公开(公告)号：CN114390226A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202111202266.0
申请日：2021-10-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种图像传感器包括：多个第一光电二极管，被包括在单位像素的第一区域中并配置为产生电荷；第二光电二极管，被包括在单位像素的第二区域中并配置为产生电荷；第一微透镜，设置在第一区域上方；第二微透镜，设置在第二区域上方；第一浮置扩散区，被包括在第一区域中；第二浮置扩散区，被包括在第二区域中；多个第一转移晶体管，配置为将所述多个第一光电二极管产生的电荷提供给第一浮置扩散区；以及第二转移晶体管，配置为将第二光电二极管产生的电荷提供给第二浮置扩散区。所述多个第一光电二极管的光接收面积之和大于第二光电二极管的光接收面积。
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公开(公告)号：CN110034139B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN201910004072.6
申请日：2019-01-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了图像传感器。一种图像传感器包括半导体基板，该半导体基板包括像素区和光学黑区。该图像传感器包括在像素区中的多个光电转换区。该图像传感器包括在半导体基板的第一表面上的布线结构。该图像传感器包括在光学黑区中在半导体基板的第二表面上的光屏蔽层。此外，该图像传感器包括光屏蔽壁结构，该光屏蔽壁结构在像素区与光学黑区之间在半导体基板中并且连接到光屏蔽层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101677106A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200910173854.9
申请日：2009-09-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L21/82 , H04N3/15 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/14643 , H01L27/14689
Abstract: 本发明公开了一种像素单元、一种包括所述像素单元的图像传感器、一种包括所述像素单元的系统及一种形成像素单元的方法。所述像素单元包括基底、外延层和在外延层中的光电转换装置。外延层具有凸出形状的掺杂浓度曲线，并包括堆叠在基底上的多个层。光电转换装置不包括沿垂直方向电势恒定的中性区域。因此，包括所述像素单元的图像传感器具有高量子化效率，并且减小了光电转换装置之间的串扰。
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公开(公告)号：CN110034139A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201910004072.6
申请日：2019-01-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了图像传感器。一种图像传感器包括半导体基板，该半导体基板包括像素区和光学黑区。该图像传感器包括在像素区中的多个光电转换区。该图像传感器包括在半导体基板的第一表面上的布线结构。该图像传感器包括在光学黑区中在半导体基板的第二表面上的光屏蔽层。此外，该图像传感器包括光屏蔽壁结构，该光屏蔽壁结构在像素区与光学黑区之间在半导体基板中并且连接到光屏蔽层。
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公开(公告)号：CN110072069B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN201910052224.X
申请日：2019-01-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N25/70 , H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器，包括：第一光电二极管；第一电路，所述第一电路包括连接到所述第一光电二极管的溢出晶体管和第一转移晶体管、连接到所述第一转移晶体管的开关元件以及设置在所述第一转移晶体管与所述开关元件之间的电容器，其中所述电容器是物理电容器；第二光电二极管；以及第二电路，所述第二电路包括连接到所述第二光电二极管的第二转移晶体管、连接到所述第一电路的输出的复位晶体管以及连接到所述第二转移晶体管和所述第一电路的输出的驱动晶体管。
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公开(公告)号：CN110072069A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201910052224.X
申请日：2019-01-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种图像传感器，包括：第一光电二极管；第一电路，所述第一电路包括连接到所述第一光电二极管的溢出晶体管和第一转移晶体管、连接到所述第一转移晶体管的开关元件以及设置在所述第一转移晶体管与所述开关元件之间的电容器，其中所述电容器是物理电容器；第二光电二极管；以及第二电路，所述第二电路包括连接到所述第二光电二极管的第二转移晶体管、连接到所述第一电路的输出的复位晶体管以及连接到所述第二转移晶体管和所述第一电路的输出的驱动晶体管。
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公开(公告)号：CN101677106B
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN200910173854.9
申请日：2009-09-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/14643 , H01L27/14689
Abstract: 本发明公开了一种像素单元、一种包括所述像素单元的图像传感器、一种包括所述像素单元的系统及一种形成像素单元的方法。所述像素单元包括基底、外延层和在外延层中的光电转换装置。外延层具有凸出形状的掺杂浓度曲线，并包括堆叠在基底上的多个层。光电转换装置不包括沿垂直方向电势恒定的中性区域。因此，包括所述像素单元的图像传感器具有高量子化效率，并且减小了光电转换装置之间的串扰。
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