公开(公告)号：CN114979519A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210160125.5

申请日：2022-02-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴暎宣 ,  裵炯轸 ,  林茂燮

IPC: H04N5/369 ,  H04N5/374

Abstract: 一种包括像素的图像传感器，该像素包括：第一光电二极管；第二光电二极管，具有比第一光电二极管更大的光接收区域；第一浮动扩散节点，累积第一光电二极管的电荷；第二浮动扩散节点，累积第二光电二极管的电荷；电容器，累积从第一光电二极管溢出的电荷；第一开关晶体管，具有连接到第一浮动扩散节点的第一端和连接到电容器的第二端；以及驱动晶体管，被配置为将累积的电荷转换成像素信号，第一开关晶体管在第一光电二极管的读出部分的低转换增益(LCG)模式下导通，并且在第一光电二极管的读出部分的高转换增益(HCG)模式下关断，并且读出电路基于来自第一部分和第二部分的像素信号生成图像数据。

公开(公告)号：CN119630090A

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN202411553199.0

申请日：2022-01-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴正勋 ,  裵炯轸 ,  申胜浩 ,  吴暎宣 ,  林茂燮

IPC: H10F39/18

Abstract: 一种图像传感器包括：基板，包括第一表面和面向所述第一表面的第二表面；第一光电二极管，位于所述基板的第一区域中并且从入射在所述第一区域上的光生成光电荷；第二光电二极管，位于所述基板的第二区域中并且从入射在所述第二区域上的光生成光电荷；以及隔离结构，限定所述第一光电二极管所在的所述第一区域和所述第二光电二极管所在的所述第二区域，并且在所述第一光电二极管与所述第二光电二极管之间延伸。所述第二区域的面积小于所述第一区域的面积，所述隔离结构的第一端与所述第二表面共面，并且所述隔离结构在垂直方向上从所述基板的所述第二表面朝向所述基板的所述第一表面延伸。

公开(公告)号：CN115207004A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202210009703.5

申请日：2022-01-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴正勋 ,  裵炯轸 ,  申胜浩 ,  吴暎宣 ,  林茂燮

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种图像传感器包括：基板，包括第一表面和面向所述第一表面的第二表面；第一光电二极管，位于所述基板的第一区域中并且从入射在所述第一区域上的光生成光电荷；第二光电二极管，位于所述基板的第二区域中并且从入射在所述第二区域上的光生成光电荷；以及隔离结构，限定所述第一光电二极管所在的所述第一区域和所述第二光电二极管所在的所述第二区域，并且在所述第一光电二极管与所述第二光电二极管之间延伸。所述第二区域的面积小于所述第一区域的面积，所述隔离结构的第一端与所述第二表面共面，并且所述隔离结构在垂直方向上从所述基板的所述第二表面朝向所述基板的所述第一表面延伸。

公开(公告)号：CN114390226A

公开(公告)日：2022-04-22

申请号：CN202111202266.0

申请日：2021-10-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴恩智 ,  裵炯轸 ,  朴茂燮 ,  申胜浩 ,  李康仙

IPC: H04N5/369 ,  H04N5/378

Abstract: 一种图像传感器包括：多个第一光电二极管，被包括在单位像素的第一区域中并配置为产生电荷；第二光电二极管，被包括在单位像素的第二区域中并配置为产生电荷；第一微透镜，设置在第一区域上方；第二微透镜，设置在第二区域上方；第一浮置扩散区，被包括在第一区域中；第二浮置扩散区，被包括在第二区域中；多个第一转移晶体管，配置为将所述多个第一光电二极管产生的电荷提供给第一浮置扩散区；以及第二转移晶体管，配置为将第二光电二极管产生的电荷提供给第二浮置扩散区。所述多个第一光电二极管的光接收面积之和大于第二光电二极管的光接收面积。