公开(公告)号：CN112341489A

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN202010585301.0

申请日：2020-06-23

Applicant: 三星电子株式会社 ,  株式会社ADEKA

Inventor： 李沼姈 ,  柳承旻 ,  朴圭熙 ,  林载顺 ,  曺仑廷 ,  斋藤昭夫 ,  布施若菜 ,  青木雄太郎 ,  小出幸宜

IPC: C07F9/00 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/50 ,  C23C16/52 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02

Abstract: 铌化合物和使用所述铌化合物形成薄膜的方法，所述化合物由以下通式I表示：[通式I]其中，在通式I中，R1、R4、R5、R6、R7和R8各自独立地是氢原子、C1‑C6直链烷基或支链烷基、或者C3‑C6环烃基，R4、R5、R6、R7和R8中的至少一个是C1‑C6直链烷基或支链烷基，并且R2和R3各自独立地是氢原子、卤素原子、C1‑C6直链烷基或支链烷基、或者C3‑C6环烃基。

公开(公告)号：CN112341489B

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202010585301.0

申请日：2020-06-23

Applicant: 三星电子株式会社 ,  株式会社ADEKA

Inventor： 李沼姈 ,  柳承旻 ,  朴圭熙 ,  林载顺 ,  曺仑廷 ,  斋藤昭夫 ,  布施若菜 ,  青木雄太郎 ,  小出幸宜

IPC: C07F9/00 ,  C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/50 ,  C23C16/52 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02

Abstract: 铌化合物和使用所述铌化合物形成薄膜的方法，所述化合物由以下通式I表示：[通式I]#imgabs0#其中，在通式I中，R1、R4、R5、R6、R7和R8各自独立地是氢原子、C1‑C6直链烷基或支链烷基、或者C3‑C6环烃基，R4、R5、R6、R7和R8中的至少一个是C1‑C6直链烷基或支链烷基，并且R2和R3各自独立地是氢原子、卤素原子、C1‑C6直链烷基或支链烷基、或者C3‑C6环烃基。