公开(公告)号：CN109493900B

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN201811051273.3

申请日：2018-09-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 提塔许·瑞许特 ,  博尔纳·J·奧布拉多维奇 ,  莱恩·M·海雀 ,  迪恩特·阿帕科夫 ,  费拉德米尔·尼基丁

IPC: G11C11/4074 ,  G11C11/4094

Abstract: 本发明阐述一种存储器装置、用于提供所述存储器装置的方法以及三维可堆叠存储器装置。所述存储器装置包括字线、第一多条位线、第二多条位线以及无选择器存储单元。每一个无选择器存储单元与字线、所述第一多条位线中的第一位线及所述第二多条位线中的第二位线进行耦合。所述无选择器存储单元包括第一磁性结及第二磁性结。所述第一磁性结及所述第二磁性结各自能够利用自旋轨道相互作用力矩进行编程。所述字线耦合在所述第一磁性结与所述第二磁性结之间。所述第一位线及所述第二位线分别与所述第一磁性结及所述第二磁性结进行耦合。所述无选择器存储单元被选择用于基于所述字线中、所述第一位线中及所述第二位线中的电压进行写入操作。

公开(公告)号：CN109493900A

公开(公告)日：2019-03-19

申请号：CN201811051273.3

申请日：2018-09-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 提塔许·瑞许特 ,  博尔纳·J·奧布拉多维奇 ,  莱恩·M·海雀 ,  迪恩特·阿帕科夫 ,  费拉德米尔·尼基丁

IPC: G11C11/4074 ,  G11C11/4094

Abstract: 本发明阐述一种存储器装置、用于提供所述存储器装置的方法以及三维可堆叠存储器装置。所述存储器装置包括字线、第一多条位线、第二多条位线以及无选择器存储单元。每一个无选择器存储单元与字线、所述第一多条位线中的第一位线及所述第二多条位线中的第二位线进行耦合。所述无选择器存储单元包括第一磁性结及第二磁性结。所述第一磁性结及所述第二磁性结各自能够利用自旋轨道相互作用力矩进行编程。所述字线耦合在所述第一磁性结与所述第二磁性结之间。所述第一位线及所述第二位线分别与所述第一磁性结及所述第二磁性结进行耦合。所述无选择器存储单元被选择用于基于所述字线中、所述第一位线中及所述第二位线中的电压进行写入操作。