公开(公告)号：CN109994474A

公开(公告)日：2019-07-09

申请号：CN201811601969.9

申请日：2018-12-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金真雅 ,  金容宽 ,  朴世根 ,  宋正宇 ,  李柱泳

IPC: H01L27/108

Abstract: 提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：在衬底上的位线结构；间隔物结构，所述间隔物结构包括与所述位线结构的侧壁直接接触的第一间隔物、与所述第一间隔物的外侧壁的一部分直接接触的第二间隔物以及与所述第一间隔物的上部直接接触且覆盖所述第二间隔物的外侧壁和上表面的第三间隔物，所述第二间隔物包括空气；以及接触插塞结构，所述接触插塞结构在基本垂直于所述衬底的上表面的竖直方向上延伸，并且至少在所述第二间隔物的底表面的高度和顶表面的高度之间的高度处直接接触所述第三间隔物的外侧壁。

公开(公告)号：CN109841595A

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201811432240.3

申请日：2018-11-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋正宇 ,  金光敏 ,  李俊镐 ,  姜赫镇 ,  金容宽 ,  韩相然 ,  朴世根

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768 ,  H01L21/762

Abstract: 提供了一种半导体存储器件和制造其的方法。该半导体存储器件可以包括：第一杂质掺杂区和第二杂质掺杂区，在半导体衬底中彼此间隔开；位线，电连接到第一杂质掺杂区并跨越半导体衬底；存储节点接触，电连接到第二杂质掺杂区；第一间隔物和第二间隔物，设置在位线与存储节点接触之间；以及气隙区，设置在第一间隔物与第二间隔物之间。第一间隔物可以覆盖位线的侧壁，第二间隔物可以与存储节点接触相邻。第一间隔物的顶端可以具有比第二间隔物的顶端的高度高的高度。

公开(公告)号：CN118382293A

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202410081406.0

申请日：2024-01-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵秉俊 ,  宋正宇

IPC: H10B12/00

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：有源区，形成在衬底上；位线，在第一方向上延伸并且通过穿过有源区而形成在衬底的内部，其中位线在基本上垂直于第一方向的第二方向上以第一间隔形成；字线，通过穿过有源区而形成在衬底的内部，并且在第二方向上在位线下方延伸，其中字线在第一方向上以第二间隔形成；接触结构，形成在有源区上并与位线相邻，其中接触结构包括金属层和粘合层；以及电容器结构，形成在接触结构上，其中有源区在相对于第一方向具有特定斜率的第三方向上倾斜。

公开(公告)号：CN116471834A

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN202310002803.X

申请日：2023-01-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申讃优 ,  姜赫镇 ,  李东焕 ,  李全一 ,  金珉宇 ,  宋正宇

IPC: H10B12/00

Abstract: 提供半导体装置。所述半导体装置包括：位线结构，在基底上；下接触塞，在基底的与位线结构邻近的部分上；上接触塞，包括下接触塞上的第一金属图案和接触第一金属图案的上表面和上侧壁的第二金属图案；以及电容器，在上接触塞上。第一金属图案的上表面相对于基底的上表面在位线结构的上表面上方。

公开(公告)号：CN116419564A

公开(公告)日：2023-07-11

申请号：CN202310007877.2

申请日：2023-01-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东焕 ,  姜赫镇 ,  申赞优 ,  金珉宇 ,  宋正宇

IPC: H10B12/00 ,  H01L23/488

Abstract: 提供了一种半导体存储器件。该半导体存储器件包括：在基板上的导电线、沿导电线的上表面延伸的盖图案、沿导电线的侧表面和盖图案的侧表面延伸的间隔物结构、在间隔物结构的侧表面上的电连接到基板的掩埋接触、沿掩埋接触和间隔物结构延伸的阻挡导电膜、以及在阻挡导电膜和盖图案上的电连接到掩埋接触的着落焊盘，其中间隔物结构的上部包括低于或等于盖图案的最上表面的间隔物凹槽，阻挡导电膜沿间隔物凹槽延伸并且不覆盖盖图案的最上表面。

公开(公告)号：CN108206184B

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN201711337133.8

申请日：2017-12-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋正宇 ,  李艺路 ,  黄光台 ,  金光敏 ,  金容宽 ,  金志永

IPC: H10B12/00 ,  H01L23/528

Abstract: 本发明构思涉及一种半导体存储器件。一种半导体器件包括包含有源区域的衬底。位线结构延伸跨过有源区域。着落垫设置在有源区域的端部上。第一间隔物设置在位线结构与着落垫之间。第二间隔物设置在第一间隔物与着落垫之间。空气间隔物设置在第一间隔物与第二间隔物之间。盖图案设置在着落垫的侧壁与位线结构的侧壁之间。盖图案限定空气间隔物的顶表面并包括金属性材料。

公开(公告)号：CN115968195A

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN202211224611.5

申请日：2022-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 具本洪 ,  金珉佑 ,  金镇用 ,  潘孝同 ,  宋正宇 ,  河大权

IPC: H10B12/00 ,  H01L21/768

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：导电图案；绝缘图案，位于导电图案之间；绝缘蚀刻停止层，位于导电图案和绝缘图案上；电容器，包括第一电容器电极、第二电容器电极和电介质，第一电容器电极与导电图案接触，电介质位于第一电容器电极与第二电容器电极之间；绝缘结构，覆盖电容器和绝缘蚀刻停止层；以及外围接触插塞，穿过绝缘结构和绝缘蚀刻停止层，并且包括堆叠在彼此的顶部上的第一插塞区域至第五插塞区域，第四插塞区域的侧表面的至少一部分具有与第三插塞区域的倾斜角和第五插塞区域的倾斜角不同的倾斜角，并且第五插塞区域的竖直厚度是第一插塞区域至第四插塞区域的竖直厚度之和的至少两倍。

公开(公告)号：CN108206184A

公开(公告)日：2018-06-26

申请号：CN201711337133.8

申请日：2017-12-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋正宇 ,  李艺路 ,  黄光台 ,  金光敏 ,  金容宽 ,  金志永

IPC: H01L27/108 ,  H01L23/528

Abstract: 本发明构思涉及一种半导体存储器件。一种半导体器件包括包含有源区域的衬底。位线结构延伸跨过有源区域。着落垫设置在有源区域的端部上。第一间隔物设置在位线结构与着落垫之间。第二间隔物设置在第一间隔物与着落垫之间。空气间隔物设置在第一间隔物与第二间隔物之间。盖图案设置在着落垫的侧壁与位线结构的侧壁之间。盖图案限定空气间隔物的顶表面并包括金属性材料。

公开(公告)号：CN109994474B

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN201811601969.9

申请日：2018-12-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金真雅 ,  金容宽 ,  朴世根 ,  宋正宇 ,  李柱泳

IPC: H10B12/00

Abstract: 提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：在衬底上的位线结构；间隔物结构，所述间隔物结构包括与所述位线结构的侧壁直接接触的第一间隔物、与所述第一间隔物的外侧壁的一部分直接接触的第二间隔物以及与所述第一间隔物的上部直接接触且覆盖所述第二间隔物的外侧壁和上表面的第三间隔物，所述第二间隔物包括空气；以及接触插塞结构，所述接触插塞结构在基本垂直于所述衬底的上表面的竖直方向上延伸，并且至少在所述第二间隔物的底表面的高度和顶表面的高度之间的高度处直接接触所述第三间隔物的外侧壁。

公开(公告)号：CN116507116A

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202211308186.8

申请日：2022-10-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑湖璇 ,  金珉宇 ,  宋正宇 ,  李垣哲

IPC: H10B12/00

Abstract: 提供了一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：基底，包括存储器单元、外围区域和中间区域；器件隔离图案；分隔图案；位线，在第一方向上延伸到中间区域与外围区域之间的边界；存储节点接触件，在存储器单元区域上并且填充位线之间的空间的下部分；接合垫，在存储节点接触件上；虚设存储节点接触件，在中间区域上并且填充位线之间的空间的下部分；虚设接合垫，在虚设存储节点接触件上；以及坝结构，在中间区域上、在所述第一方向上延伸并且具有条形状，其中，虚设接合垫在第二方向上与坝结构的边缘间隔开，并且虚设存储节点接触件与分隔图案接触。