Saved successfully
Save failed
Saved Successfully
Save Failed
公开(公告)号：CN116471834A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310002803.X
申请日：2023-01-03
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 申讃优 , 姜赫镇 , 李东焕 , 李全一 , 金珉宇 , 宋正宇
IPC: H10B12/00
Abstract: 提供半导体装置。所述半导体装置包括：位线结构，在基底上；下接触塞，在基底的与位线结构邻近的部分上；上接触塞，包括下接触塞上的第一金属图案和接触第一金属图案的上表面和上侧壁的第二金属图案；以及电容器，在上接触塞上。第一金属图案的上表面相对于基底的上表面在位线结构的上表面上方。
