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公开(公告)号：CN108172576B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN201711144300.7
申请日：2017-11-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件和包括该半导体器件的半导体封装，该半导体器件包括能够保证容量并表现出改善的可靠性的电容器。该半导体器件包括：基板，具有单元块；多个电容器，在基板的单元块中并具有第一电极；以及支撑图案，接触该多个电容器的第一电极的侧壁并支撑该多个电容器，其中支撑图案包括上支撑图案，该上支撑图案包括：第一上图案，具有在单元块中连接为整体的板状结构；和第二上图案，接触第一上图案的底表面并具有比第一上图案的底表面小的面积的顶表面，上支撑图案接触第一电极的上端的侧壁。
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公开(公告)号：CN103367283A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310109329.7
申请日：2013-03-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/528 , H01L21/768 , H01L21/28
CPC classification number: H01L27/1052 , H01L27/10808 , H01L27/10852 , H01L27/10855 , H01L27/10876 , H01L27/10885 , H01L27/10894
Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。半导体器件可以包括在字线之间彼此邻近设置但通过隔离图案彼此间隔开的存储节点焊盘。因而，可以防止由掩模未对准引起的桥接问题。这能够提高半导体器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN108933143B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN201810528707.8
申请日：2018-05-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件，包括：衬底，包括单元区域和周边区域；以及衬底上的底部电极。底部电极布置在均在第一方向上延伸的第一行和第二行中。第一行和第二行在垂直于第一方向的第二方向上彼此相邻。第一行中的底部电极包括在第一方向上分开第一距离的最外面的底部电极和次最外面的底部电极。第二行中的底部电极包括在第一方向上分开第二距离的最外面的底部电极和次最外面的底部电极。第一行中的最外面的底部电极位于衬底的周边区域上。第二行中的最外面的底部电极位于衬底的单元区域上。
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公开(公告)号：CN108933143A
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201810528707.8
申请日：2018-05-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11563 , H01L27/11568
CPC classification number: H01L27/10852 , H01L27/10823 , H01L27/10855 , H01L27/10876 , H01L27/10894 , H01L28/75 , H01L28/87 , H01L28/91 , H01L27/11563 , H01L27/11568
Abstract: 一种半导体器件，包括：衬底，包括单元区域和周边区域；以及衬底上的底部电极。底部电极布置在均在第一方向上延伸的第一行和第二行中。第一行和第二行在垂直于第一方向的第二方向上彼此相邻。第一行中的底部电极包括在第一方向上分开第一距离的最外面的底部电极和次最外面的底部电极。第二行中的底部电极包括在第一方向上分开第二距离的最外面的底部电极和次最外面的底部电极。第一行中的最外面的底部电极位于衬底的周边区域上。第二行中的最外面的底部电极位于衬底的单元区域上。
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公开(公告)号：CN108346661A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201810057970.3
申请日：2018-01-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L23/64
Abstract: 提供一种半导体器件。该半导体器件包括：衬底；第一结构和第二结构，在衬底上在第一方向上彼此间隔开，第一结构包括第一下电极，并且第二结构包括第二下电极；第一支撑物图案，设置在衬底上以支撑第一结构和第二结构，并包括第一区域和第二区域，第一区域暴露第一结构和第二结构的侧壁的部分，第二区域覆盖所述侧壁的其余部分；以及第二支撑图案，设置在第一支撑图案上以支撑第一结构和第二结构，第二支撑物图案包括第三区域和第四区域，第三区域配置为暴露第一结构和第二结构的侧壁的部分，第四区域覆盖所述侧壁的其余部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108231772A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711180587.9
申请日：2017-11-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L27/10855 , G11C5/025 , G11C7/12 , G11C11/403 , G11C11/412 , G11C11/416 , G11C11/565 , H01L21/285 , H01L21/28568 , H01L27/10814 , H01L27/10852 , H01L27/1116 , H01L27/11293 , H01L28/91 , H01L28/92 , H01L49/02
Abstract: 本发明涉及半导体器件及制造其的方法。提供一种半导体器件。该半导体器件包括：衬底，其包括包含第一区域和第二区域的单元区域以及比邻近第一区域更邻近第二区域的周边区域；分别设置在第一区域和第二区域中的第一下电极和第二下电极；分别设置在第一下电极和第二下电极的外壁上的第一下支撑图案和第二下支撑图案；上支撑图案，其设置在第一下电极和第二下电极的外壁上，并且在第一下支撑图案和第二下支撑图案上且与第一下支撑图案和第二下支撑图案间隔开；电介质层，其设置在第一下电极和第二下电极、第一下支撑图案和第二下支撑图案以及上支撑图案的表面上；以及上电极，其设置在电介质层的表面上，其中第一下支撑图案的厚度小于第二下支撑图案的厚度。
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公开(公告)号：CN108346661B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN201810057970.3
申请日：2018-01-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种半导体器件。该半导体器件包括：衬底；第一结构和第二结构，在衬底上在第一方向上彼此间隔开，第一结构包括第一下电极，并且第二结构包括第二下电极；第一支撑物图案，设置在衬底上以支撑第一结构和第二结构，并包括第一区域和第二区域，第一区域暴露第一结构和第二结构的侧壁的部分，第二区域覆盖所述侧壁的其余部分；以及第二支撑图案，设置在第一支撑图案上以支撑第一结构和第二结构，第二支撑物图案包括第三区域和第四区域，第三区域配置为暴露第一结构和第二结构的侧壁的部分，第四区域覆盖所述侧壁的其余部分。
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公开(公告)号：CN112992901A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202011025442.3
申请日：2020-09-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108
Abstract: 公开了一种具有接触塞的半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：基底，具有存储器单元区，在存储器单元区处限定有多个有源区；字线，具有下字线层和上字线层的堆叠结构，并且在第一水平方向上延伸越过所述多个有源区，并且掩埋绝缘层位于字线上；位线结构，布置在所述多个有源区上，在与第一水平方向垂直的第二水平方向上延伸，并且具有位线；以及字线接触塞，通过穿透掩埋绝缘层和上字线层而电连接到下字线层，并且在字线接触塞的上部中具有塞延伸件，塞延伸件具有比字线接触塞的下部的水平宽度大的水平宽度。
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公开(公告)号：CN110890373B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201911198848.9
申请日：2017-12-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L49/02
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底；多个下电极，其被设置在衬底上并且在第一方向和交叉第一方向的第二方向上重复地布置；以及第一电极支撑件，其接触下电极中的至少一个的侧壁。第一电极支撑件包括：第一支撑区域，其包括第一开口；以及第二支撑区域，其被设置在第一支撑区域的边界处。第一电极支撑件的外侧壁包括在第一方向上延伸的第一侧壁、在第二方向上延伸的第二侧壁以及连接第一侧壁和第二侧壁的四个连接侧壁。第二支撑区域包括连接侧壁。第一电极支撑件的上表面的对应于至少两个连接侧壁的边界的每个具有线形状、弯曲形状、以及Z字形形状之一，线形状在交叉第一方向和第二方向的第三方向上延伸。
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公开(公告)号：CN110890373A
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201911198848.9
申请日：2017-12-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L49/02
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底；多个下电极，其被设置在衬底上并且在第一方向和交叉第一方向的第二方向上重复地布置；以及第一电极支撑件，其接触下电极中的至少一个的侧壁。第一电极支撑件包括：第一支撑区域，其包括第一开口；以及第二支撑区域，其被设置在第一支撑区域的边界处。第一电极支撑件的外侧壁包括在第一方向上延伸的第一侧壁、在第二方向上延伸的第二侧壁以及连接第一侧壁和第二侧壁的四个连接侧壁。第二支撑区域包括连接侧壁。第一电极支撑件的上表面的对应于至少两个连接侧壁的边界的每个具有线形状、弯曲形状、以及Z字形形状之一，线形状在交叉第一方向和第二方向的第三方向上延伸。
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