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公开(公告)号：CN105870185A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610081274.7
申请日：2016-02-05
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L23/3738 , H01L21/823431 , H01L21/823821 , H01L23/367 , H01L27/0886 , H01L27/0924 , H01L29/0847 , H01L29/1041 , H01L29/105 , H01L29/36 , H01L29/4966 , H01L29/7848 , H01L29/785
Abstract: 一种半导体器件，包括：第一鳍形图案，包括顺序地层叠在基板上的第一下部图案和第一上部图案，该第一上部图案包括第一部分和分别设置在第一部分的两侧的第二部分；栅电极，形成在第一部分上以交叉第一鳍形图案；和源/漏极区，分别形成在第二部分上。第一上部图案的掺杂剂浓度高于第一下部图案的掺杂剂浓度和基板的掺杂剂浓度，第一下部图案的掺杂剂浓度不同于基板的掺杂剂浓度。
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公开(公告)号：CN105870185B
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN201610081274.7
申请日：2016-02-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件，包括：第一鳍形图案，包括顺序地层叠在基板上的第一下部图案和第一上部图案，该第一上部图案包括第一部分和分别设置在第一部分的两侧的第二部分；栅电极，形成在第一部分上以交叉第一鳍形图案；和源/漏极区，分别形成在第二部分上。第一上部图案的掺杂剂浓度高于第一下部图案的掺杂剂浓度和基板的掺杂剂浓度，第一下部图案的掺杂剂浓度不同于基板的掺杂剂浓度。
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公开(公告)号：CN111146199A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201910962329.9
申请日：2019-10-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L27/11 , H01L29/423
Abstract: 半导体器件可包括在衬底上主要在第一方向上延伸的有源区域。栅极结构可被设置为与有源区域交叉，并且主要在与第一方向交叉的第二方向上延伸。栅极隔离图案可接触栅极结构的一端。栅极结构可包括多个部分，该多个部分各自在第一方向上具有不同的宽度，并且栅极隔离图案可具有大于栅极结构的所述多个部分中的至少一个部分的宽度的宽度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110391211B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN201910287877.6
申请日：2019-04-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/544 , G01R31/26 , G01R31/28 , H01L21/66
Abstract: 包括测试结构的半导体器件包括半导体衬底和半导体衬底上的多个测试结构。测试结构包括相应下有源区域和上有源区域，相应下有源区域在竖直方向上从半导体衬底延伸并且具有不同的宽度，上有源区域在竖直方向上从相应下有源区域延伸。每个下有源区域包括第一区域和第二区域。第一区域与上有源区域重叠并且在第二区域之间，并且第二区域包括外部区域和外部区域之间的内部区域。位于具有不同宽度的下有源区域中的外部区域具有不同的宽度。
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公开(公告)号：CN111276539B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN201910565810.4
申请日：2019-06-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 一种半导体器件包括：第一鳍，从衬底突出并沿第一方向延伸；第二鳍，从衬底突出并沿第一方向延伸，第一鳍和第二鳍间隔开；栅线，包括虚设栅电极和栅电极，虚设栅电极至少部分地覆盖第一鳍，栅电极至少部分地覆盖第二鳍，虚设栅电极包括与栅电极不同的材料，栅线覆盖第一鳍和第二鳍，栅线沿不同于第一方向的第二方向延伸；以及栅电介质层，在栅电极和第二鳍之间。
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公开(公告)号：CN110767750A
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201910356516.2
申请日：2019-04-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/423 , H01L27/088
Abstract: 提供半导体器件。半导体器件包括：衬底；第一鳍型图案和第二鳍型图案，其从衬底的上表面突出并彼此隔开；第一鳍型图案上的第一半导体图案；第二鳍型图案上的第二半导体图案；和第一半导体图案和第二半导体图案之间的阻挡图案，第一半导体图案的一部分插入到阻挡图案中。
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公开(公告)号：CN111276539A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201910565810.4
申请日：2019-06-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 一种半导体器件包括：第一鳍，从衬底突出并沿第一方向延伸；第二鳍，从衬底突出并沿第一方向延伸，第一鳍和第二鳍间隔开；栅线，包括虚设栅电极和栅电极，虚设栅电极至少部分地覆盖第一鳍，栅电极至少部分地覆盖第二鳍，虚设栅电极包括与栅电极不同的材料，栅线覆盖第一鳍和第二鳍，栅线沿不同于第一方向的第二方向延伸；以及栅电介质层，在栅电极和第二鳍之间。
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公开(公告)号：CN110391211A
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201910287877.6
申请日：2019-04-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/544 , G01R31/26 , G01R31/28 , H01L21/66
Abstract: 包括测试结构的半导体器件包括半导体衬底和半导体衬底上的多个测试结构。测试结构包括相应下有源区域和上有源区域，相应下有源区域在竖直方向上从半导体衬底延伸并且具有不同的宽度，上有源区域在竖直方向上从相应下有源区域延伸。每个下有源区域包括第一区域和第二区域。第一区域与上有源区域重叠并且在第二区域之间，并且第二区域包括外部区域和外部区域之间的内部区域。位于具有不同宽度的下有源区域中的外部区域具有不同的宽度。
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