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公开(公告)号：CN106570212B
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN201610887556.6
申请日：2016-10-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F30/3312 , G06F30/367 , G06F111/08 , G06F119/02
Abstract: 提供一种基于随机电报信号噪声的电路设计方法和仿真方法。一种仿真方法包括：接收描述多个装置的网表；通过使用分别与所述多个装置对应的随机电报信号(RTS)噪声因子的值，来执行算术运算；基于算术运算的结果，来生成与所述多个装置中的每个装置对应的RTS模型；生成反映RTS模型的网表。
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公开(公告)号：CN105870185A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610081274.7
申请日：2016-02-05
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L23/3738 , H01L21/823431 , H01L21/823821 , H01L23/367 , H01L27/0886 , H01L27/0924 , H01L29/0847 , H01L29/1041 , H01L29/105 , H01L29/36 , H01L29/4966 , H01L29/7848 , H01L29/785
Abstract: 一种半导体器件，包括：第一鳍形图案，包括顺序地层叠在基板上的第一下部图案和第一上部图案，该第一上部图案包括第一部分和分别设置在第一部分的两侧的第二部分；栅电极，形成在第一部分上以交叉第一鳍形图案；和源/漏极区，分别形成在第二部分上。第一上部图案的掺杂剂浓度高于第一下部图案的掺杂剂浓度和基板的掺杂剂浓度，第一下部图案的掺杂剂浓度不同于基板的掺杂剂浓度。
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公开(公告)号：CN105870185B
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN201610081274.7
申请日：2016-02-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件，包括：第一鳍形图案，包括顺序地层叠在基板上的第一下部图案和第一上部图案，该第一上部图案包括第一部分和分别设置在第一部分的两侧的第二部分；栅电极，形成在第一部分上以交叉第一鳍形图案；和源/漏极区，分别形成在第二部分上。第一上部图案的掺杂剂浓度高于第一下部图案的掺杂剂浓度和基板的掺杂剂浓度，第一下部图案的掺杂剂浓度不同于基板的掺杂剂浓度。
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公开(公告)号：CN108009310A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201711033038.9
申请日：2017-10-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5036 , G06F17/18 , G06F2217/02 , H01L23/556 , H01L23/60 , H01L27/0886 , H01L29/0669 , H01L29/785 , H01L29/7851 , G06F2217/16
Abstract: 一种粒子撞击模拟方法，其可基于实施与半导体电路的设计相关联的模拟来预测与所述设计相关联的软错误率(SER)。所述模拟可包括：基于表示所述设计的信息来产生模拟环境；基于所述模拟环境执行粒子撞击模拟，以产生电荷沉积信息；以及从所述电荷沉积信息计算收集电荷量。可判断基于所述收集电荷量预测的软错误率是否至少满足阈值。如果所述预测软错误率值满足阈值，则可修改所述设计，且重复所述模拟。如果所述预测软错误率值小于阈值，则可基于所述设计来制造半导体电路。据此，可提高对三维半导体装置进行软错误率预测的准确性。
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公开(公告)号：CN106570212A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201610887556.6
申请日：2016-10-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5036 , G06F17/5031 , G06F17/505 , G06F2217/10 , G06F2217/84 , H04L41/145 , G06F17/5068 , G06F17/5072
Abstract: 提供一种基于随机电报信号噪声的电路设计方法和仿真方法。一种仿真方法包括：接收描述多个装置的网表；通过使用分别与所述多个装置对应的随机电报信号(RTS)噪声因子的值，来执行算术运算；基于算术运算的结果，来生成与所述多个装置中的每个装置对应的RTS模型；生成反映RTS模型的网表。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108009310B
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN201711033038.9
申请日：2017-10-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F30/367 , H01L27/088 , H01L29/78 , G06F111/10
Abstract: 一种粒子撞击模拟方法，其可基于实施与半导体电路的设计相关联的模拟来预测与所述设计相关联的软错误率(SER)。所述模拟可包括：基于表示所述设计的信息来产生模拟环境；基于所述模拟环境执行粒子撞击模拟，以产生电荷沉积信息；以及从所述电荷沉积信息计算收集电荷量。可判断基于所述收集电荷量预测的软错误率是否至少满足阈值。如果所述预测软错误率值满足阈值，则可修改所述设计，且重复所述模拟。如果所述预测软错误率值小于阈值，则可基于所述设计来制造半导体电路。据此，可提高对三维半导体装置进行软错误率预测的准确性。
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公开(公告)号：CN109426698A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810999604.X
申请日：2018-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F17/50
Abstract: 提供了一种良率预测装置。良率预测装置可以包括耦接到至少一个非暂时性计算机可读介质的至少一个处理器。所述至少一个处理器可以被配置为：接收与半导体器件的工作特性相关联的第一变量；对半导体器件的工作特性执行模拟；使用模拟结果执行神经网络回归分析，以确定针对第一变量的第一函数；以及基于高级蒙特卡罗模拟来预测半导体集成电路的良率。高级蒙特卡罗模拟的输入可以包括所确定的第一函数。
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公开(公告)号：CN109426698B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN201810999604.X
申请日：2018-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/336 , G06N3/084 , G06N7/01 , G06F30/20 , G06F30/39 , G06N3/048
Abstract: 提供了一种良率预测装置。良率预测装置可以包括耦接到至少一个非暂时性计算机可读介质的至少一个处理器。所述至少一个处理器可以被配置为：接收与半导体器件的工作特性相关联的第一变量；对半导体器件的工作特性执行模拟；使用模拟结果执行神经网络回归分析，以确定针对第一变量的第一函数；以及基于高级蒙特卡罗模拟来预测半导体集成电路的良率。高级蒙特卡罗模拟的输入可以包括所确定的第一函数。
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