公开(公告)号：CN105870185A

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201610081274.7

申请日：2016-02-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵相右 ,  全倧旭 ,  秋升晋 ,  司空炫哲 ,  崔在熙

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/36

CPC classification number: H01L23/3738 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823821 ,  H01L23/367 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1041 ,  H01L29/105 ,  H01L29/36 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

Abstract: 一种半导体器件，包括：第一鳍形图案，包括顺序地层叠在基板上的第一下部图案和第一上部图案，该第一上部图案包括第一部分和分别设置在第一部分的两侧的第二部分；栅电极，形成在第一部分上以交叉第一鳍形图案；和源/漏极区，分别形成在第二部分上。第一上部图案的掺杂剂浓度高于第一下部图案的掺杂剂浓度和基板的掺杂剂浓度，第一下部图案的掺杂剂浓度不同于基板的掺杂剂浓度。

公开(公告)号：CN105870185B

公开(公告)日：2020-12-15

申请号：CN201610081274.7

申请日：2016-02-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵相右 ,  全倧旭 ,  秋升晋 ,  司空炫哲 ,  崔在熙

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/36

Abstract: 一种半导体器件，包括：第一鳍形图案，包括顺序地层叠在基板上的第一下部图案和第一上部图案，该第一上部图案包括第一部分和分别设置在第一部分的两侧的第二部分；栅电极，形成在第一部分上以交叉第一鳍形图案；和源/漏极区，分别形成在第二部分上。第一上部图案的掺杂剂浓度高于第一下部图案的掺杂剂浓度和基板的掺杂剂浓度，第一下部图案的掺杂剂浓度不同于基板的掺杂剂浓度。