公开(公告)号：CN105870185A

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201610081274.7

申请日：2016-02-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵相右 ,  全倧旭 ,  秋升晋 ,  司空炫哲 ,  崔在熙

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/36

CPC classification number: H01L23/3738 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823821 ,  H01L23/367 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1041 ,  H01L29/105 ,  H01L29/36 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

Abstract: 一种半导体器件，包括：第一鳍形图案，包括顺序地层叠在基板上的第一下部图案和第一上部图案，该第一上部图案包括第一部分和分别设置在第一部分的两侧的第二部分；栅电极，形成在第一部分上以交叉第一鳍形图案；和源/漏极区，分别形成在第二部分上。第一上部图案的掺杂剂浓度高于第一下部图案的掺杂剂浓度和基板的掺杂剂浓度，第一下部图案的掺杂剂浓度不同于基板的掺杂剂浓度。

公开(公告)号：CN106570210A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201610886366.2

申请日：2016-10-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全倧旭 ,  崔在熙 ,  金有焕 ,  李根浩 ,  权义熙 ,  金宗哲

IPC: G06F17/50

Abstract: 提供了一种电路设计方法、电路仿真方法和基于计算机的仿真系统。一种电路设计方法包括：从包括一个或多个装置的网表以及包括与工艺变化有关的信息的模型库提取多个装置中的每个装置的老化信息。使用与工艺变化有关的信息和老化信息执行算术运算，以计算由老化引起的每个装置的工艺变化的偏差。反映计算的偏差的网表和/或模型库被提取。

公开(公告)号：CN105870185B

公开(公告)日：2020-12-15

申请号：CN201610081274.7

申请日：2016-02-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵相右 ,  全倧旭 ,  秋升晋 ,  司空炫哲 ,  崔在熙

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/36

Abstract: 一种半导体器件，包括：第一鳍形图案，包括顺序地层叠在基板上的第一下部图案和第一上部图案，该第一上部图案包括第一部分和分别设置在第一部分的两侧的第二部分；栅电极，形成在第一部分上以交叉第一鳍形图案；和源/漏极区，分别形成在第二部分上。第一上部图案的掺杂剂浓度高于第一下部图案的掺杂剂浓度和基板的掺杂剂浓度，第一下部图案的掺杂剂浓度不同于基板的掺杂剂浓度。