公开(公告)号：CN111276539A

公开(公告)日：2020-06-12

申请号：CN201910565810.4

申请日：2019-06-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金镇祐 ,  裵哲辉 ,  金杨谦 ,  金成恩 ,  裵相友 ,  司空炫哲

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 一种半导体器件包括：第一鳍，从衬底突出并沿第一方向延伸；第二鳍，从衬底突出并沿第一方向延伸，第一鳍和第二鳍间隔开；栅线，包括虚设栅电极和栅电极，虚设栅电极至少部分地覆盖第一鳍，栅电极至少部分地覆盖第二鳍，虚设栅电极包括与栅电极不同的材料，栅线覆盖第一鳍和第二鳍，栅线沿不同于第一方向的第二方向延伸；以及栅电介质层，在栅电极和第二鳍之间。

公开(公告)号：CN111276539B

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN201910565810.4

申请日：2019-06-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金镇祐 ,  裵哲辉 ,  金杨谦 ,  金成恩 ,  裵相友 ,  司空炫哲

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 一种半导体器件包括：第一鳍，从衬底突出并沿第一方向延伸；第二鳍，从衬底突出并沿第一方向延伸，第一鳍和第二鳍间隔开；栅线，包括虚设栅电极和栅电极，虚设栅电极至少部分地覆盖第一鳍，栅电极至少部分地覆盖第二鳍，虚设栅电极包括与栅电极不同的材料，栅线覆盖第一鳍和第二鳍，栅线沿不同于第一方向的第二方向延伸；以及栅电介质层，在栅电极和第二鳍之间。