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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106910740B
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN201611019131.X
申请日：2016-11-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/112
Abstract: 提供了一种一次性可编程(OTP)存储装置、其制造方法及包含其的电子装置，所述一次性可编程存储装置使编程电压降低，以增强编程效率，增加用于OTP存储装置的设计的外围输入/输出(I/O)元件的可靠性，并且简化设计。OTP存储装置包括具有第一栅极结构、第二栅极结构和第三栅极结构中的一种栅极结构的晶体管，第一栅极结构包括高k介电层、稀土元素(RE)供给层和第二金属层，第二栅极结构包括高k介电层、第一金属层和第二金属层，第三栅极结构包括高k介电层和第二金属层。
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公开(公告)号：CN111146199A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201910962329.9
申请日：2019-10-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L27/11 , H01L29/423
Abstract: 半导体器件可包括在衬底上主要在第一方向上延伸的有源区域。栅极结构可被设置为与有源区域交叉，并且主要在与第一方向交叉的第二方向上延伸。栅极隔离图案可接触栅极结构的一端。栅极结构可包括多个部分，该多个部分各自在第一方向上具有不同的宽度，并且栅极隔离图案可具有大于栅极结构的所述多个部分中的至少一个部分的宽度的宽度。
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公开(公告)号：CN106910740A
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201611019131.X
申请日：2016-11-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/112
CPC classification number: H01L27/11206 , H01L23/5252 , H01L29/42376 , H01L29/495 , H01L29/517 , H01L29/7851 , H01L27/1122 , H01L27/11246
Abstract: 提供了一种一次性可编程(OTP)存储装置、其制造方法及包含其的电子装置，所述一次性可编程存储装置使编程电压降低，以增强编程效率，增加用于OTP存储装置的设计的外围输入/输出(I/O)元件的可靠性，并且简化设计。OTP存储装置包括具有第一栅极结构、第二栅极结构和第三栅极结构中的一种栅极结构的晶体管，第一栅极结构包括高k介电层、稀土元素(RE)供给层和第二金属层，第二栅极结构包括高k介电层、第一金属层和第二金属层，第三栅极结构包括高k介电层和第二金属层。
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公开(公告)号：CN115700909A
公开(公告)日：2023-02-07
申请号：CN202210860684.7
申请日：2022-07-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/485 , H01L25/18 , H10B41/35 , H01L23/488
Abstract: 本公开提供了一种能够提高性能和可靠性的半导体封装件。本公开的半导体封装件包括彼此电连接的第一装置和第二装置，第一装置包括衬底、形成在衬底的上侧的第一焊盘和形成在衬底的上侧并且形成为包围第一焊盘的钝化膜，第二装置包括布置为面对第一焊盘的第二焊盘，并且第一焊盘包括具有第一弹性模量的中心焊盘和具有小于第一弹性模量的第二弹性模量的边缘焊盘，边缘焊盘形成为包围中心焊盘并且接触钝化膜。
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公开(公告)号：CN112349680A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202010766570.7
申请日：2020-08-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L23/528
Abstract: 提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括下布线、在下布线上的上布线以及在下布线与上布线之间的过孔。下布线具有彼此相对的第一端表面和第二端表面，上布线具有彼此相对的第三端表面和第四端表面，并且过孔具有与下布线的第二端表面相邻的第一侧面和与上布线的第三端表面相邻的第二侧面。过孔的第一侧面的下端与下布线的第二端表面的上端之间的距离小于过孔的顶表面的宽度的1/3，并且过孔的第二侧面的上端与上布线的第三端表面的上端之间的距离小于过孔的顶表面的宽度的1/3。
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