公开(公告)号：CN115440279A

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN202210361598.1

申请日：2022-04-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 车相守 ,  李世雄 ,  千允洙

IPC: G11C16/26 ,  G11C16/34 ,  G11C29/42 ,  G11C16/04 ,  G06F3/06

Abstract: 提供了非易失性存储器装置、操作控制器和操作存储装置的方法。所述操作控制器的方法包括：根据来自主机的读取请求，将第一命令随机地发送到非易失性存储器装置；从非易失性存储器装置接收与第一命令对应的第一读取数据；确定第一读取数据的第一错误位的数量是否大于第一参考值；当第一错误位的数量不大于第一参考值时，确定第一错误位的数量是否大于第二参考值；当第一错误位的数量大于第二参考值时，将目标字线存储在健康缓冲器中；将第二命令周期性地发送到非易失性存储器装置；以及从非易失性存储器装置接收与第二命令对应的第二读取数据。

公开(公告)号：CN117238350A

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202310703193.6

申请日：2023-06-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李庚德 ,  安浩圣 ,  千允洙

IPC: G11C29/02

Abstract: 一种数据存储装置包括：存储器装置，其包括多个存储器块；以及存储器控制器，其被配置为控制存储器装置，其中，多个存储器块与各行线连接，其中，各行线包括字线，其中，存储器控制器还被配置为：检查在除字线之外的各行线是否发生电阻缺陷；并且将与发生电阻缺陷的行线相对应的存储器块的编程操作时间设置为长于其它存储器块的编程操作时间。

公开(公告)号：CN117219144A

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202310031798.5

申请日：2023-01-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李庚德 ,  千允洙 ,  曹大铉

IPC: G11C16/26 ,  G11C16/14

Abstract: 提供了用于操作存储器装置的方法和存储器系统，所述方法包括：对第一操作执行第一设置操作；基于第一设置操作读取映射数据；以及对第二操作执行第二设置操作。

公开(公告)号：CN119132365A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202410475219.0

申请日：2024-04-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金有焕 ,  李世雄 ,  卢海东 ,  安浩圣 ,  千允洙

IPC: G11C16/08 ,  G11C29/42 ,  G11C16/26

Abstract: 一种非易失性存储器设备包括：存储器单元阵列，其包括多个存储器单元块；以及地址解码器，其通过多个字线连接到存储器单元阵列，并且被配置为将读取通过电压施加到多个存储器单元块当中的选择的存储器单元块的未选择的字线，并将不同电平的读取通过电压施加到所述多个存储器单元块当中的不同存储器单元块。

公开(公告)号：CN119132355A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202410652370.7

申请日：2024-05-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东浩 ,  李世雄 ,  千允洙

IPC: G11C7/20 ,  G11C7/10 ,  G11C8/08 ,  G11C5/14

Abstract: 公开了存储装置及其回收操作方法。所述存储装置包括：闪存，包括选择的字线和与选择的字线相邻的相邻字线；以及存储器控制器，被配置为：在读取操作期间将选择读取电压提供给选择的字线，并且将通过电压提供给所述相邻字线，通过电压高于选择读取电压，其中，存储器控制器还被配置为：基于所述相邻字线的劣化水平来确定选择的字线是否是热点读取字线，并且当选择的字线是热点读取字线时，对所述相邻字线执行字线回收操作。

公开(公告)号：CN119785849A

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202411346391.2

申请日：2024-09-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李世雄 ,  李光珍 ,  权起禄 ,  李庚德 ,  车相守 ,  千允洙

IPC: G11C16/10 ,  G11C11/406

Abstract: 提供一种储存设备，包括：存储设备，包括多个存储块，每个存储块包括多个存储单元；控制器，被配置为响应于从主机接收的写入请求控制存储设备的编程操作；以及温度传感器，被配置为测量内部温度，其中，控制器还被配置为基于由温度传感器测量的第一温度，将多个存储块中的一个存储块激活为风险块，并且然后使用风险块控制高可靠性编程操作，或者将多个存储块中的一个存储块激活为第一正常块，并且然后使用第一正常块控制正常编程操作。

公开(公告)号：CN117636979A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311058578.8

申请日：2023-08-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴承俊 ,  李晟键 ,  金大原 ,  李庚德 ,  千允洙

IPC: G11C16/26 ,  G11C16/34 ,  G11C29/42 ,  G11C16/08

Abstract: 提供操作存储器装置的方法、半导体装置和数据恢复方法。操作存储器装置的方法包括：利用读取电压从第一存储器块读取其中包含至少一个磨损存储器单元的存储器单元的第一页；以及利用读取电压读取在第一存储器块中邻近于第一页延伸的存储器单元的第二页。执行操作以确定第一页中的包括“0”比特的列的位置与第二页中的包括“0”比特的列的位置之间的匹配率。此后，当匹配率超过阈值匹配率时，通过调整施加至第一存储器块中的另一页的字线的读取通过电压来读取第二页。

公开(公告)号：CN117636972A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311051116.3

申请日：2023-08-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金有焕 ,  李庚德 ,  安浩圣 ,  千允洙

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/34

Abstract: 提供了一种存储装置、一种非易失性存储器装置和一种操作该非易失性存储器装置的方法。该存储装置包括：存储控制器，其被配置为发送命令和包括一个或多个比特的模式的编程数据；非易失性存储器装置，其被配置为接收命令和编程数据；以及模式监测电路，其被配置为监测从存储控制器发送的编程数据的模式。模式监测电路被配置为当编程数据包括重复预设次数或更多次的重复模式时，将异常状态检查比特发送至存储控制器，并且存储控制器被配置为响应于接收到异常状态检查比特而将编程数据重新发送至非易失性存储器装置。

公开(公告)号：CN117093137A

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN202310556069.1

申请日：2023-05-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李光珍 ,  权起禄 ,  千允洙

IPC: G06F3/06

Abstract: 提供了一种主机系统以及嵌入式存储装置和主机装置的操作方法。主机系统包括：易失性存储器装置，其被配置为存储第一临时数据；嵌入式存储装置，其被配置为存储第二临时数据；以及主机装置，其被配置为响应于与新的临时数据关联的事件的检测信号确定将新临时数据发送到易失性存储器装置以用于作为第一临时数据存储在其中还是发送到嵌入式存储装置以用于作为第二临时数据存储在其中。嵌入式存储装置包括：至少一个非易失性存储器装置，其具有在其中存储第二临时数据的缓冲区域、以及用户区域；以及控制器，其被配置为控制所述至少一个非易失性存储器装置，使得缓冲区域中的第二临时数据响应于主机装置的刷新请求被复制到用户区域。

公开(公告)号：CN114356791A

公开(公告)日：2022-04-15

申请号：CN202111147320.6

申请日：2021-09-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安浩圣 ,  千允洙

IPC: G06F12/02 ,  G06F13/16 ,  G11C16/14 ,  G11C29/42

Abstract: 提供了一种操作用于控制包括多个存储单元块在内的存储器件的控制器的方法，该方法包括：基于存储单元块中的每一个的可靠性信息来输出块地址信息；将巡查读取命令提供给存储器件；以及控制存储器件响应于巡查读取命令执行巡查读取操作，其中，块地址信息包括基于可靠性信息的针对存储单元块的巡查读取操作的顺序。