公开(公告)号：CN117238350A

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202310703193.6

申请日：2023-06-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李庚德 ,  安浩圣 ,  千允洙

IPC: G11C29/02

Abstract: 一种数据存储装置包括：存储器装置，其包括多个存储器块；以及存储器控制器，其被配置为控制存储器装置，其中，多个存储器块与各行线连接，其中，各行线包括字线，其中，存储器控制器还被配置为：检查在除字线之外的各行线是否发生电阻缺陷；并且将与发生电阻缺陷的行线相对应的存储器块的编程操作时间设置为长于其它存储器块的编程操作时间。

公开(公告)号：CN115527590A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202210253717.1

申请日：2022-03-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金有焕 ,  李址华 ,  李庚德 ,  安浩圣

IPC: G11C16/14

Abstract: 提供了一种执行安全擦除的存储设备及其操作方法。存储设备可以包括控制器，控制器被配置为控制包括多个块的非易失性存储器装置。控制器包括安全擦除控制逻辑，安全擦除控制逻辑被配置为：控制对多个块的安全擦除操作，并且响应于来自主机的针对多个块之中的第一块的安全擦除请求来执行控制操作，使得基于第一块是否处于安全擦除状态和/或劣化状态中的至少一种的确定结果来确定是否要跳过对第一块的安全擦除操作。

公开(公告)号：CN112086111A

公开(公告)日：2020-12-15

申请号：CN202010528328.6

申请日：2020-06-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安浩圣 ,  千允洙

IPC: G11C5/14 ,  G11C29/12 ,  G11C29/42

Abstract: 本文提供了非易失性存储器设备及其编程方法。所述非易失性存储器设备包括存储单元阵列，该存储单元阵列包括具有第一字线的多条字线和连接到所述第一字线的多个存储单元。所述多个存储单元包括多个监视单元和多个数据单元，每个数据单元被配置为存储N位数据，N为自然数。所述非易失性存储器设备被配置为对所述多个数据单元执行第一编程，并且在执行所述第一编程之后，对所述一个或多个监视单元执行与所述第一编程不同的检测编程。

公开(公告)号：CN119132365A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202410475219.0

申请日：2024-04-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金有焕 ,  李世雄 ,  卢海东 ,  安浩圣 ,  千允洙

IPC: G11C16/08 ,  G11C29/42 ,  G11C16/26

Abstract: 一种非易失性存储器设备包括：存储器单元阵列，其包括多个存储器单元块；以及地址解码器，其通过多个字线连接到存储器单元阵列，并且被配置为将读取通过电压施加到多个存储器单元块当中的选择的存储器单元块的未选择的字线，并将不同电平的读取通过电压施加到所述多个存储器单元块当中的不同存储器单元块。

公开(公告)号：CN115525210A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202210259765.1

申请日：2022-03-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李址华 ,  金有焕 ,  李庚德 ,  安浩圣

IPC: G06F3/06 ,  G11C16/34 ,  G11C16/16 ,  G11C16/10 ,  G11C16/26

Abstract: 提供了一种存储设备及其操作方法、操作非易失性存储器装置的方法。存储设备包括控制器，控制器被配置为控制在其中具有多个存储块的非易失性存储器装置。控制器包括安全擦除控制逻辑，被配置为：(i)响应于从主机接收的安全擦除请求来控制对多个存储块的安全擦除操作，以及(ii)设置与多个存储块对应的标志，使得与已经经历了至少两次安全擦除操作的第一存储块对应的第一标志具有第一值。提供了自适应控制逻辑，其被配置为：响应于检测到第一标志具有第一值，改变与针对第一存储块的写入操作和/或读取操作相关联的至少一个操作条件。

公开(公告)号：CN119248175A

公开(公告)日：2025-01-03

申请号：CN202410329525.3

申请日：2024-03-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金有焕 ,  李庚德 ,  张洙溶 ,  高汉奎 ,  安浩圣

IPC: G06F3/06

Abstract: 本公开涉及存储设备。示例存储设备包括：非易失性存储器设备和存储器控制器，该非易失性存储器设备包括多个存储器块，该存储器控制器控制该非易失性存储器设备。存储器控制器对多个存储器块当中的第一存储器块执行软擦除操作，在执行软擦除操作之后，通过将第一参考电压施加到从第一存储器块的多个存储器单元中预先选择的多个第一存储器单元来测量第一单元计数，基于第一单元计数生成与第一存储器块的保留特性相关联的第一健康指数，并且基于第一健康指数对第一存储器块执行可靠性管理操作。

公开(公告)号：CN117636972A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311051116.3

申请日：2023-08-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金有焕 ,  李庚德 ,  安浩圣 ,  千允洙

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/34

Abstract: 提供了一种存储装置、一种非易失性存储器装置和一种操作该非易失性存储器装置的方法。该存储装置包括：存储控制器，其被配置为发送命令和包括一个或多个比特的模式的编程数据；非易失性存储器装置，其被配置为接收命令和编程数据；以及模式监测电路，其被配置为监测从存储控制器发送的编程数据的模式。模式监测电路被配置为当编程数据包括重复预设次数或更多次的重复模式时，将异常状态检查比特发送至存储控制器，并且存储控制器被配置为响应于接收到异常状态检查比特而将编程数据重新发送至非易失性存储器装置。

公开(公告)号：CN114356791A

公开(公告)日：2022-04-15

申请号：CN202111147320.6

申请日：2021-09-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安浩圣 ,  千允洙

IPC: G06F12/02 ,  G06F13/16 ,  G11C16/14 ,  G11C29/42

Abstract: 提供了一种操作用于控制包括多个存储单元块在内的存储器件的控制器的方法，该方法包括：基于存储单元块中的每一个的可靠性信息来输出块地址信息；将巡查读取命令提供给存储器件；以及控制存储器件响应于巡查读取命令执行巡查读取操作，其中，块地址信息包括基于可靠性信息的针对存储单元块的巡查读取操作的顺序。