公开(公告)号：CN114446362A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202111230654.X

申请日：2021-10-22

Applicant: 三星电子株式会社 ,  高丽大学校产学协力团

Inventor： 卢海东 ,  全有珍 ,  尹慧智 ,  成宗泽 ,  白埈杰 ,  千允洙

IPC: G11C16/26 ,  G11C29/42

Abstract: 本发明公开了一种包括非易失性存储器装置和存储器控制器的存储装置，并且该存储装置的操作方法包括：在存储器控制器处将第一读取命令和第一偏移信息发送到非易失性存储器装置；在非易失性存储器装置处基于第一读取命令和第一偏移信息来执行第一读取操作；在非易失性存储器装置处将第一读取操作的结果作为第一数据发送到存储器控制器；在存储器控制器处将第二读取命令、读取电压电平和第二偏移信息发送到非易失性存储器装置；在非易失性存储器装置处基于第二读取命令、读取电压电平和第二偏移信息来执行第二读取操作；以及在非易失性存储器装置处将第二读取操作的结果作为第二数据发送到存储器控制器。

公开(公告)号：CN119132365A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202410475219.0

申请日：2024-04-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金有焕 ,  李世雄 ,  卢海东 ,  安浩圣 ,  千允洙

IPC: G11C16/08 ,  G11C29/42 ,  G11C16/26

Abstract: 一种非易失性存储器设备包括：存储器单元阵列，其包括多个存储器单元块；以及地址解码器，其通过多个字线连接到存储器单元阵列，并且被配置为将读取通过电压施加到多个存储器单元块当中的选择的存储器单元块的未选择的字线，并将不同电平的读取通过电压施加到所述多个存储器单元块当中的不同存储器单元块。