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公开(公告)号:CN117636979A
公开(公告)日:2024-03-01
申请号:CN202311058578.8
申请日:2023-08-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供操作存储器装置的方法、半导体装置和数据恢复方法。操作存储器装置的方法包括:利用读取电压从第一存储器块读取其中包含至少一个磨损存储器单元的存储器单元的第一页;以及利用读取电压读取在第一存储器块中邻近于第一页延伸的存储器单元的第二页。执行操作以确定第一页中的包括“0”比特的列的位置与第二页中的包括“0”比特的列的位置之间的匹配率。此后,当匹配率超过阈值匹配率时,通过调整施加至第一存储器块中的另一页的字线的读取通过电压来读取第二页。