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公开(公告)号：CN119785849A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411346391.2
申请日：2024-09-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/10 , G11C11/406
Abstract: 提供一种储存设备，包括：存储设备，包括多个存储块，每个存储块包括多个存储单元；控制器，被配置为响应于从主机接收的写入请求控制存储设备的编程操作；以及温度传感器，被配置为测量内部温度，其中，控制器还被配置为基于由温度传感器测量的第一温度，将多个存储块中的一个存储块激活为风险块，并且然后使用风险块控制高可靠性编程操作，或者将多个存储块中的一个存储块激活为第一正常块，并且然后使用第一正常块控制正常编程操作。
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公开(公告)号：CN109003641B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN201810443660.5
申请日：2018-05-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种包括非易失性存储器设备的存储设备的操作方法，所述方法包括：进入通电模式；从非易失性存储器设备中包括的存储器块中搜索包括至少一条擦除字线的开放存储器块；如果开放存储器块中包括的擦除字线的数量不大于预设值，则向至少一条擦除字线施加编程电压以关闭开放存储器块；以及在通电模式之后，进入正常操作模式。连接到被施加所述编程电压的所述至少一条擦除字线的存储器单元被编程为具有高于擦除状态的阈值电压分布范围的阈值电压分布范围。
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公开(公告)号：CN109003641A
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201810443660.5
申请日：2018-05-10
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/16 , G06F12/0246 , G11C5/144 , G11C7/20 , G11C16/08 , G11C16/3495
Abstract: 一种包括非易失性存储器设备的存储设备的操作方法，所述方法包括：进入通电模式；从非易失性存储器设备中包括的存储器块中搜索包括至少一条擦除字线的开放存储器块；如果开放存储器块中包括的擦除字线的数量不大于预设值，则向至少一条擦除字线施加编程电压以关闭开放存储器块；以及在通电模式之后，进入正常操作模式。连接到被施加所述编程电压的所述至少一条擦除字线的存储器单元被编程为具有高于擦除状态的阈值电压分布范围的阈值电压分布范围。
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公开(公告)号：CN108932964B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN201810472963.X
申请日：2018-05-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种操作存储设备的方法，包括：通过使用默认读取电压电平来对非易失性存储器执行后台读取操作；当后台读取操作失败时通过使用校正后的读取电压电平对非易失性存储器执行读取重试操作；当读取重试操作成功时将校正后的读取电压电平存储在历史缓冲器中；以及响应于从主机所接收到的读取请求通过使用历史缓冲器来对非易失性存储器执行主机读取操作。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN119440390A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202410523402.3
申请日：2024-04-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
Abstract: 提供了存储器控制器、其操作方法及包括其的存储设备。存储器控制器包括健康等级确定电路和IO比率设置电路，该健康等级确定电路基于从存储块的至少一个页面读取的数据的错误检测结果和与所述存储块的劣化程度相关的块信息的组合来确定所述存储块的健康等级。IO比率设置电路根据所确定的健康等级，设置主机IO操作和内部IO操作之间的IO比率。在所述主机IO操作中所述存储器控制器响应于来自主机的请求与存储器件交换数据，并且在所述内部IO操作中所述存储器控制器与后台操作相关地与存储器件交换数据。在执行后台操作的时段期间，存储器控制器根据所设置的IO比率与存储器件执行主机IO操作和内部IO操作。
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公开(公告)号：CN115440279A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202210361598.1
申请日：2022-04-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了非易失性存储器装置、操作控制器和操作存储装置的方法。所述操作控制器的方法包括：根据来自主机的读取请求，将第一命令随机地发送到非易失性存储器装置；从非易失性存储器装置接收与第一命令对应的第一读取数据；确定第一读取数据的第一错误位的数量是否大于第一参考值；当第一错误位的数量不大于第一参考值时，确定第一错误位的数量是否大于第二参考值；当第一错误位的数量大于第二参考值时，将目标字线存储在健康缓冲器中；将第二命令周期性地发送到非易失性存储器装置；以及从非易失性存储器装置接收与第二命令对应的第二读取数据。
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公开(公告)号：CN112988614A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202011400563.1
申请日：2020-12-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/02 , G06F12/1009
Abstract: 一种操作包括非易失性存储器的存储设备的方法，包括：以超级块为单位将非易失性存储器的编程和擦除计数存储为元数据，其中，超级块中的每个包括预定义数量的非易失性存储器的块；基于第一读取电平，对在第一超级块中包括的第一块执行读取操作；当对第一块的读取操作成功时，将第一读取电平作为第一超级块的历史读取电平存储在历史缓冲器中；从主机接收针对第一超级块的第二块的读取请求和第二块的地址；以及基于在历史缓冲器中存储的历史读取电平来对第二块执行读取操作。预定义数量至少为2。
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公开(公告)号：CN108932964A
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201810472963.X
申请日：2018-05-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/3404 , G06F13/1673 , G06F13/4068 , G11C16/26 , G11C16/3436
Abstract: 一种操作存储设备的方法，包括：通过使用默认读取电压电平来对非易失性存储器执行后台读取操作；当后台读取操作失败时通过使用校正后的读取电压电平对非易失性存储器执行读取重试操作；当读取重试操作成功时将校正后的读取电压电平存储在历史缓冲器中；以及响应于从主机所接收到的读取请求通过使用历史缓冲器来对非易失性存储器执行主机读取操作。
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