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公开(公告)号：CN118069041A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202311565397.4
申请日：2023-11-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种控制存储系统的操作的方法、一种存储系统和一种存储装置，该存储系统包括存储装置和被配置为控制存储装置的主机装置，该方法包括：由主机装置从存储装置的多个操作模式当中确定所选操作模式；由主机装置将所选操作模式通知给存储装置；由存储装置将存储装置的操作条件设定为与所选操作模式对应的所选操作条件；以及由存储装置基于所选操作条件执行与主机装置的输入输出操作。
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公开(公告)号：CN112099730B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202010263658.7
申请日：2020-04-07
Applicant: 三星电子株式会社 , 首尔大学校产学协力团
IPC: G06F3/06
Abstract: 一种访问包括存储器块的非易失性存储器件的方法，该存储器块中堆叠了包括字线的半导体层，所述方法包括：接收对存储器块的写入请求；确定该写入请求是否对应于一个或多个引导字线；响应于写入请求被确定为与引导字线相对应，在第一编程模式下对连接到所述一个或多个引导字线的存储器单元进行编程；当该写入请求被确定为对应于与引导字线不同的后续字线时，在第二编程模式下对连接到后续字线的存储器单元进行编程。利用第二编程参数执行第二编程模式，该第二编程参数包括编程脉冲的数量、编程验证脉冲的数量、编程开始电压和编程结束电压中的至少一个，该第二编程参数不同于第一编程模式的对应的第一参数。
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公开(公告)号：CN116403629A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202211626979.4
申请日：2022-12-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储装置包括：存储器件，所述存储器件包括多个超级块，其中，每个超级块包括多个非易失性存储器的组中所包括的存储块；以及控制器，所述控制器用于控制所述存储器件，其中，所述控制器进行控制使得所述多个超级块当中的第一超级块被擦除以对从主机接收到的数据进行编程，进行控制以使得所述数据被编程在所述第一超级块中，进行控制使得所述第一超级块被选择为用于垃圾收集操作的受害超级块，并且进行控制使得在数据持续时间大于阈值时所述存储器件被执行介质扫描操作，其中，所述数据持续时间是第一时间点与第二时间点之间的间隔，在所述第一时间点所述第一超级块被擦除，在所述第二时间点所述第一超级块被选择为所述受害超级块。
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公开(公告)号：CN114582396A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202111212460.7
申请日：2021-10-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了存储设备、包括该存储设备的服务器设备以及操作该存储设备的方法。该存储设备包括：温度传感器；非易失性存储器，被配置为存储与在第一温度范围内执行的存储器操作相关的第一控制信息、和与在不同于第一温度范围的第二温度范围内执行的存储器操作相关的第二控制信息，第一控制信息和第二控制信息彼此分开存储；以及存储控制器，被配置为接收从温度传感器感测的温度，通过处理所感测的温度来确定目标温度，基于所确定的目标温度来选择第一控制信息和第二控制信息之一，并且使用所选择的控制信息对非易失性存储器执行存储器操作。
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公开(公告)号：CN115775019A
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202210678493.9
申请日：2022-06-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种存储设备及其操作方法。所述存储设备包括：存储器，被配置为存储用作神经网络中的输入的参数数据。所述存储设备还包括：存储控制器，被配置为从主机接收请求信号。所述存储控制器还被配置为：基于所述参数数据在神经网络中对日志数据进行编码，所述日志数据指示多个组件的上下文；并向所述主机发送经编码的日志数据。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115525210A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210259765.1
申请日：2022-03-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种存储设备及其操作方法、操作非易失性存储器装置的方法。存储设备包括控制器，控制器被配置为控制在其中具有多个存储块的非易失性存储器装置。控制器包括安全擦除控制逻辑，被配置为：(i)响应于从主机接收的安全擦除请求来控制对多个存储块的安全擦除操作，以及(ii)设置与多个存储块对应的标志，使得与已经经历了至少两次安全擦除操作的第一存储块对应的第一标志具有第一值。提供了自适应控制逻辑，其被配置为：响应于检测到第一标志具有第一值，改变与针对第一存储块的写入操作和/或读取操作相关联的至少一个操作条件。
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公开(公告)号：CN114649026A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202111261938.5
申请日：2021-10-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储设备的操作方法包括：监测包括多个存储块的非易失性存储器件的温度；从主机接收第一请求；响应于第一请求：当与第一请求相对应的第一存储块暴露在阈值温度或高于阈值温度的温度达等于或大于阈值时间段的第一时间段时，向非易失性存储器件发送第一命令，以及当第一存储块暴露在低于阈值温度的温度达阈值时间段时，向非易失性存储器件发送第二命令；响应于第一命令，利用驱动电压对第一存储块的字线进行充电；以及响应于第一命令或第二命令，执行与第一请求相对应的第一操作。
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公开(公告)号：CN114610522A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202111203531.7
申请日：2021-10-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种操作存储设备的方法、操作主机设备的方法以及存储设备。所述操作存储设备的方法包括：经由存储设备的主机接口从外部设备接收用于请求关于存储设备的故障概率信息的命令，其中，存储设备包括第一组件和第二组件；以及响应于该命令，经由主机接口向外部设备提供关于存储设备的故障概率信息。
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公开(公告)号：CN110033808A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201811446549.8
申请日：2018-11-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种用于控制存储器装置的存储器控制器的读取控制方法，所述存储器装置包括分别连接到多条字线的多个存储器页面，所述读取控制方法包括：对所述多个存储器页面中已经历暂停操作的所选择存储器页面进行识别，所述所选择存储器页面连接到所选择字线；根据对所述所选择存储器页面进行识别的结果，基于与所述所选择存储器页面相关联的暂停操作信息来确定所述所选择存储器页面的读取偏移电平；以及基于与所确定出的所述读取偏移电平相关联的读取电压来控制所述存储器装置的读取操作。也提供一种存储器控制器及其编程控制方法。
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公开(公告)号：CN120032701A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202411634949.7
申请日：2024-11-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/52 , G11C29/42 , G11C11/4097 , G11C11/4096 , G11C11/408
Abstract: 提供非易失性存储器装置及其操作方法、以及包括非易失性存储器装置和存储控制器的存储装置的操作方法。存储控制器的存储装置的操作方法包括：由存储控制器向非易失性存储器装置发送包括检错启用信息的设定特征命令；由存储控制器向非易失性存储器装置发送编程命令和写入数据；响应于编程命令，由非易失性存储器装置在将写入数据编程到存储器单元之前对页缓冲器电路的写入数据执行检错操作；当在写入数据中检测到错误时，由非易失性存储器装置将写入数据作为错误数据发送到存储控制器；以及当在写入数据中未检测到错误时，由非易失性存储器装置将写入数据编程到存储器单元。
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