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公开(公告)号：CN115527590A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210253717.1
申请日：2022-03-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/14
Abstract: 提供了一种执行安全擦除的存储设备及其操作方法。存储设备可以包括控制器，控制器被配置为控制包括多个块的非易失性存储器装置。控制器包括安全擦除控制逻辑，安全擦除控制逻辑被配置为：控制对多个块的安全擦除操作，并且响应于来自主机的针对多个块之中的第一块的安全擦除请求来执行控制操作，使得基于第一块是否处于安全擦除状态和/或劣化状态中的至少一种的确定结果来确定是否要跳过对第一块的安全擦除操作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119248175A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202410329525.3
申请日：2024-03-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
Abstract: 本公开涉及存储设备。示例存储设备包括：非易失性存储器设备和存储器控制器，该非易失性存储器设备包括多个存储器块，该存储器控制器控制该非易失性存储器设备。存储器控制器对多个存储器块当中的第一存储器块执行软擦除操作，在执行软擦除操作之后，通过将第一参考电压施加到从第一存储器块的多个存储器单元中预先选择的多个第一存储器单元来测量第一单元计数，基于第一单元计数生成与第一存储器块的保留特性相关联的第一健康指数，并且基于第一健康指数对第一存储器块执行可靠性管理操作。
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公开(公告)号：CN117636972A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311051116.3
申请日：2023-08-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种存储装置、一种非易失性存储器装置和一种操作该非易失性存储器装置的方法。该存储装置包括：存储控制器，其被配置为发送命令和包括一个或多个比特的模式的编程数据；非易失性存储器装置，其被配置为接收命令和编程数据；以及模式监测电路，其被配置为监测从存储控制器发送的编程数据的模式。模式监测电路被配置为当编程数据包括重复预设次数或更多次的重复模式时，将异常状态检查比特发送至存储控制器，并且存储控制器被配置为响应于接收到异常状态检查比特而将编程数据重新发送至非易失性存储器装置。
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公开(公告)号：CN119132365A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202410475219.0
申请日：2024-04-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种非易失性存储器设备包括：存储器单元阵列，其包括多个存储器单元块；以及地址解码器，其通过多个字线连接到存储器单元阵列，并且被配置为将读取通过电压施加到多个存储器单元块当中的选择的存储器单元块的未选择的字线，并将不同电平的读取通过电压施加到所述多个存储器单元块当中的不同存储器单元块。
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公开(公告)号：CN115525210A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210259765.1
申请日：2022-03-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种存储设备及其操作方法、操作非易失性存储器装置的方法。存储设备包括控制器，控制器被配置为控制在其中具有多个存储块的非易失性存储器装置。控制器包括安全擦除控制逻辑，被配置为：(i)响应于从主机接收的安全擦除请求来控制对多个存储块的安全擦除操作，以及(ii)设置与多个存储块对应的标志，使得与已经经历了至少两次安全擦除操作的第一存储块对应的第一标志具有第一值。提供了自适应控制逻辑，其被配置为：响应于检测到第一标志具有第一值，改变与针对第一存储块的写入操作和/或读取操作相关联的至少一个操作条件。
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公开(公告)号：CN114649026A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202111261938.5
申请日：2021-10-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储设备的操作方法包括：监测包括多个存储块的非易失性存储器件的温度；从主机接收第一请求；响应于第一请求：当与第一请求相对应的第一存储块暴露在阈值温度或高于阈值温度的温度达等于或大于阈值时间段的第一时间段时，向非易失性存储器件发送第一命令，以及当第一存储块暴露在低于阈值温度的温度达阈值时间段时，向非易失性存储器件发送第二命令；响应于第一命令，利用驱动电压对第一存储块的字线进行充电；以及响应于第一命令或第二命令，执行与第一请求相对应的第一操作。
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