-
公开(公告)号：CN119836221A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202510036808.3
申请日：2025-01-09
Applicant: 苏州实验室
Abstract: 本发明公开了一种基于Ti/AlScN/Cu堆叠结构的铁电存储器制备方法，该方法通过依次沉积钛、铝掺钪氮化物和铜材料，形成Ti/AlScN/Cu多层堆叠结构，利用该结构的优异界面特性和材料的电学性能，提升存储器的开关速度、存储密度和耐用性；该方法具体步骤包括：在衬底上首先沉积一层钛薄膜，然后通过磁控溅射法在钛薄膜上沉积铝掺钪氮化物薄膜，最后沉积铜作为电极材料；本发明通过优化沉积工艺参数和层间厚度，可以实现铁电存储器的高效制备，同时有效提高铁电存储器的开关性能、低功耗特性及长周期稳定性，具有简单易行、可扩展性强等优点，适用于高性能铁电存储器的工业化生产。
Search Results
1
records
(took 0.013 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
