公开(公告)号：CN119653917A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202510162350.6

申请日：2025-02-14

Applicant: 苏州实验室

Inventor： 谢良帅 ,  刘粉红 ,  李晓梅 ,  楚旭 ,  邵纤童 ,  黄增立

IPC: H10F77/124 ,  C23C16/455 ,  C23C16/06 ,  C23C16/56 ,  C23C8/24 ,  H10F77/42 ,  H10F71/00 ,  H10F30/21

Abstract: 本发明提供了一种紫外吸收增强型半导体薄膜及其制备方法和应用，所述紫外吸收增强型半导体薄膜包括衬底和依次层叠设置于所述衬底一侧表面的铝中间层和氮化铝介质层。本发明所述紫外吸收增强型半导体薄膜可以利用界面相移和吸收相移共同作用，使几纳米厚的紫外吸收增强型半导体薄膜上表面反射趋于零从而增加半导体层的光吸收。在保证紫外吸收增强型半导体薄膜的厚度较小的情况下，增强光吸收强度，从而提高光电探测器的响应速度。

公开(公告)号：CN119650424A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202510180138.2

申请日：2025-02-19

Applicant: 苏州实验室

Inventor： 楚旭 ,  李书明 ,  邓馨 ,  谢良帅 ,  邵纤童 ,  黄增立

IPC: H01L21/306

Abstract: 本发明属于半导体薄膜制备技术领域，涉及一种半导体薄膜及其制备方法与应用，所述制备方法包括如下步骤：将半导体晶圆与腐蚀溶液的液面接触，或者将目标剥离区域的半导体晶圆部分浸入腐蚀溶液中进行电化学腐蚀剥离，腐蚀溶液向半导体晶圆上爬升，然后将半导体晶圆浸入水中，得到所述半导体薄膜；所述半导体晶圆作为阳极，所述腐蚀溶液作为电解液。本发明所述制备方法仅需将半导体晶圆接触或者部分浸入腐蚀溶液，使腐蚀溶液利用毛细效应向晶圆上方爬升，由于半导体晶圆绝大部分区域与腐蚀溶液非直接接触，半导体薄膜在腐蚀过程不会受到溶液腐蚀与作用力的影响，从而能够在晶圆级别剥离出大面积、规整度高以及基本无表面损伤的半导体薄膜。