公开(公告)号：CN119653917A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202510162350.6

申请日：2025-02-14

Applicant: 苏州实验室

Inventor： 谢良帅 ,  刘粉红 ,  李晓梅 ,  楚旭 ,  邵纤童 ,  黄增立

IPC: H10F77/124 ,  C23C16/455 ,  C23C16/06 ,  C23C16/56 ,  C23C8/24 ,  H10F77/42 ,  H10F71/00 ,  H10F30/21

Abstract: 本发明提供了一种紫外吸收增强型半导体薄膜及其制备方法和应用，所述紫外吸收增强型半导体薄膜包括衬底和依次层叠设置于所述衬底一侧表面的铝中间层和氮化铝介质层。本发明所述紫外吸收增强型半导体薄膜可以利用界面相移和吸收相移共同作用，使几纳米厚的紫外吸收增强型半导体薄膜上表面反射趋于零从而增加半导体层的光吸收。在保证紫外吸收增强型半导体薄膜的厚度较小的情况下，增强光吸收强度，从而提高光电探测器的响应速度。