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公开(公告)号：CN118919620A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410975593.7
申请日：2024-07-19
Applicant: 苏州实验室
Abstract: 本发明公开了一种紫外发光二极管，由下至上依次包括衬底、低温AlN成核层、高温AlN缓冲层、非掺杂AlGaN缓冲层、复合n型层、多量子阱有源区、p型AlGaN层和p型GaN欧姆接触层，以及设置在复合n型层上的n型电极和设置在p型GaN欧姆接触层上的p型电极，其中复合n型层是由石墨烯层、n‑AlGaN层、石墨烯层组成。本发明采用具有极高电子迁移率的二维石墨烯材料包夹n‑AlGaN层的复合层作为n型层，既能够缓解晶格失配，减少材料中的缺陷，提高外延层的晶体质量，又有利于电子迅速横向扩展，从而得以均匀地注入多量子阱有源区，提升紫外发光二极管的光电性能。
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