公开(公告)号：CN106299025A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201610748278.6

申请日：2016-08-29

Applicant: 奥特斯维能源(太仓)有限公司

Inventor： 陈文浩 ,  王冕 ,  奚彬 ,  刘仁中

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  H01L21/318 ,  C23C16/34 ,  C23C16/505 ,  C23C16/511 ,  C23C16/52

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/1804 ,  C23C16/345 ,  C23C16/505 ,  C23C16/511 ,  C23C16/52 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/02168

Abstract: 一种管式PECVD沉积氮化硅的工艺，使用两步镀膜，镀第一层膜时使用的温度低于镀第二层膜时使用的温度。本发明提供的沉积工艺提高管式PECVD沉积氮化硅薄膜对晶硅太阳电池的钝化减反射效果以及降低工艺时间。

公开(公告)号：CN106255591A

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201580022635.4

申请日：2015-03-02

Applicant: 东洋制罐集团控股株式会社

Inventor： 南乡瞬也 ,  小赋雄介 ,  奥山真平 ,  川原成

IPC: B32B9/00 ,  C23C16/40 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/403 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45555 ,  C23C16/505 ,  C23C16/511 ,  C23C28/00 ,  C23C28/042

Abstract: 此阻气性层压体(10)的特征在于，使用原子层沉积法在无机氧化物层(3)上形成极薄的金属氧化物膜(ALD膜)(5)，所述无机氧化物层(3)由含有Si或Al的金属氧化物或金属氮氧化物形成，所述无机氧化物层(3)的厚度d1与所述ALD膜(5)的厚度d2之比(d1/d2)为3至50。该阻气性层压体(10)不仅具有高的阻气性，还有优异的生产性。

公开(公告)号：CN105934407A

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201480072640.1

申请日：2014-11-12

Applicant: 佩尔佩图斯研究与发展有限公司

Inventor： J·巴克兰 ,  D·沃尔特斯

IPC: C01B31/02 ,  C09C1/46 ,  H05H1/46

CPC classification number: C01B32/168 ,  B01J19/087 ,  B01J19/126 ,  B01J2219/0809 ,  B01J2219/0818 ,  B01J2219/0824 ,  B01J2219/0879 ,  B01J2219/0894 ,  B01J2219/1206 ,  B08B6/00 ,  C01B32/19 ,  C01B32/194 ,  C01P2004/03 ,  C08K9/00 ,  C09C1/46 ,  C23C16/26 ,  C23C16/4417 ,  C23C16/509 ,  C23C16/511 ,  C23C16/513 ,  C23C16/517 ,  H01J37/023 ,  H01J37/32018 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32568 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4697 ,  H05H2001/485

Abstract: 一种通过分解、解聚、剥离、净化、官能化、掺杂、修饰和/或修复粒子来处理所述粒子的方法，其中粒子在处理室经受等离子体处理，处理室包含在其中凸出的多个电极，以及其中等离子体由所述电极产生，所述电极在等离子体处理期间被移动以搅动粒子。

公开(公告)号：CN104164658B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201410383700.3

申请日：2014-08-06

Applicant: 河北普莱斯曼金刚石科技有限公司

Inventor： 唐伟忠 ,  李义锋 ,  苏静杰 ,  刘艳青 ,  丁明辉 ,  王歌

IPC: C23C16/27 ,  C23C16/511

CPC classification number: H01J37/32192 ,  C23C16/274 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32247 ,  H01J37/32256

Abstract: 本发明为一种椭球形高功率微波等离子体金刚石膜沉积装置，该装置由阶梯状环形微波耦合系统、设置于环形天线阶梯处的环形石英微波窗口、椭球形微波谐振腔、可调节沉积台、圆锥形上反射体和可调节圆柱形下反射体，进出气口，测温孔和观察窗等组成。此装置利用椭球的上下焦点设计，圆锥形上微波反射体位于上焦点，沉积台位于下焦点，电场分布集中，激发等离子体位置稳定、密度高；隐藏的微波窗口避免被等离子体加热、污染、刻蚀；可调节的微波下反射体和沉积台实时地优化等离子体分布；椭球形谐振腔内壁距离高温等离子体区较远，减弱等离子体对腔室内壁的热辐射，避免沉积异物；装置各部件采用水冷。此装置可在高功率下实现大面积高品质金刚石膜的高效沉积。

公开(公告)号：CN105762324A

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201610136606.7

申请日：2009-08-04

Applicant: Sakti3有限公司

Inventor： 安玛丽.沙斯特里 ,  法比奥.阿而巴诺 ,  汪家伟

IPC: H01M4/04 ,  H01M4/13 ,  H01M4/131 ,  H01M4/139 ,  H01M4/38 ,  H01M4/505 ,  H01M4/70 ,  H01M10/0565 ,  B82Y30/00

CPC classification number: H01M4/0404 ,  B29C59/02 ,  B29C59/16 ,  B82Y30/00 ,  C23C4/134 ,  C23C14/025 ,  C23C14/042 ,  C23C14/08 ,  C23C14/22 ,  C23C14/48 ,  C23C16/44 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/511 ,  H01M4/0407 ,  H01M4/0419 ,  H01M4/0423 ,  H01M4/0426 ,  H01M4/0428 ,  H01M4/0471 ,  H01M4/13 ,  H01M4/131 ,  H01M4/134 ,  H01M4/139 ,  H01M4/382 ,  H01M4/505 ,  H01M4/70 ,  H01M10/0565 ,  H01M10/613 ,  H01M10/6554 ,  H01M2004/021 ,  H01M2004/025

Abstract: 以功能梯度为特征并具有预期的周期性配置的电化学电池或电池组及其制造方法。设计一种或多种制备电池/电池组部件的方法，这些方法单独使用或联合使用，以实现某种热的、机械的、动力学的和空间的特性，并由此提高电池的性能。所述热特性涉及充电和放电过程中的温度分布。所述动力学特性涉及所述电池或电池组的倍率性能，诸如离子扩散过程和电子传导。所述机械特性涉及所述电池或电池组的使用寿命和效率，诸如所述部件材料的强度和模量。最后，所述空间特性涉及能量和功率密度、应力和温度减小机制、以及扩散和传导增强。所述创新的电化学电池或电池组对于需要高倍率性能、高能量/功率密度、良好的耐用性、高安全性和长使用寿命的所有应用都是有用的。

公开(公告)号：CN103377870B

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201310158563.9

申请日：2013-05-02

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 张龙守 ,  宋正日 ,  金宣来 ,  洪性焕 ,  李兑孝

IPC: H01J37/32

CPC classification number: C23C16/4415 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/511 ,  C30B25/105 ,  C30B25/14 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3244

Abstract: 提供一种基板处理设备。所述基板处理设备包括：处理室，提供处理基板的内部空间；基板支撑构件，设置在所述处理室内以支撑所述基板；喷头，设置为面向所述基板支撑构件且将所述内部空间分隔为上部空间和下部空间，所述喷头具有等离子体供应孔，所述上部空间和所述下部空间通过所述等离子体供应孔彼此连通；激励气体供应单元，供应激励气体至所述上部空间；处理气体供应单元，供应处理气体至所述下部空间；以及微波施加单元，施加微波到所述上部空间。

公开(公告)号：CN102892919B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201180023953.4

申请日：2011-03-17

Applicant: 独立行政法人产业技术总合研究所

Inventor： 金载浩 ,  石原正统 ,  古贺义纪 ,  津川和夫 ,  长谷川雅考 ,  饭岛澄男 ,  山田贵寿

IPC: C23C16/26 ,  C23C16/511 ,  C23C16/54 ,  H01B13/00

CPC classification number: C23C16/511 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/188 ,  C23C16/26 ,  C23C16/545 ,  H01B1/04

Abstract: 本发明的目的在于解决作为采用热CVD法形成石墨烯膜的课题的高温工艺及工艺时间长的问题，提供在更低温度下以更短时间形成使用了由石墨烯膜形成的结晶性碳膜的透明导电性碳膜的方法。本发明的方法的特征在于，将基体材料温度设定为500℃以下，将压力设定为50Pa以下，并且在向由含碳气体和惰性气体构成的混合气体中作为添加气体加入了用于抑制基体材料表面氧化的氧化抑制剂的气体气氛中，利用微波表面波等离子体CVD法使透明导电性碳膜堆积在铜或铝的薄膜的基体材料表面上。

公开(公告)号：CN101320765B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN200810108273.2

申请日：2008-06-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  荒井康行

IPC: H01L31/20 ,  C23C16/50 ,  H01J37/32 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L31/1824 ,  C23C16/24 ,  C23C16/511 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02678 ,  H01L21/67207 ,  H01L27/14632 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0463 ,  H01L31/0465 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/075 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明的目的在于提供一种光电转换装置及光电转换装置的制造方法，其中，不降低堆积速度地在大面积衬底上以高生产率直接形成优质的结晶半导体层，并且将该结晶半导体层用作光电转换层。将反应气体导入于放置有衬底的处理室内，通过设置在波导管的槽缝将微波导入于所述处理室内来产生等离子体，而在所述衬底上形成由半非晶半导体构成的光电转换层，所述波导管与所述衬底大略平行地相对配置。由此，不降低堆积速度，而可以获得优质的半非晶半导体。通过利用这种半非晶半导体形成光电转换层，可以获得将因光退化所引起的特性降低从五分之一降低到十分之一，而实际上几乎没有问题的光电转换装置。

公开(公告)号：CN104919077A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201480004713.3

申请日：2014-01-10

Applicant: 加州理工学院

Inventor： 大卫·A·博伊德 ,  乃-昌·叶

IPC: C23C14/02

CPC classification number: C23C16/26 ,  C01B32/184 ,  C01B32/186 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/511 ,  Y10T428/24355

Abstract: 一种形成石墨烯的方法包括将基底放置在处理室中并且将包括氢气和氮气的清洁气体引入到处理室中。该方法还包括将碳源引入到处理室中并且在处理室中引发微波等离子体。该方法还包括使基底经受清洁气体和碳源的流动持续预定的时间段以形成石墨烯。

公开(公告)号：CN104602436A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201410601825.9

申请日：2014-10-31

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 张龙守 ,  洪性焕

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC classification number: C23C16/45519 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/4558 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/3244

Abstract: 本发明涉及基板处理装置。本发明的一实施例所涉及的基板处理装置包括工序腔室、基板支承单元、天线板、介电板、波长缩短板以及气体供给单元等。气体供给单元使激发气体喷射单元配置于比工序气体喷射单元高的位置而使包含惰性气体的激发气体在比工序气体高的位置喷射，由此防止介电板的损伤，能够生成高密度的等离子体，能够防止在50mmTorr以上的工序压力下的工序或者使用氢气体的工序中的工序性能下降。