-
公开(公告)号：CN1969058B
公开(公告)日：2010-04-14
申请号：CN200580019224.6
申请日：2005-04-15
Applicant: 独立行政法人产业技术总合研究所
CPC classification number: C23C16/26 , B24D11/003 , C03C17/007 , C03C17/22 , C03C2217/282 , C03C2217/42 , G02B1/105 , G02B1/14 , Y10T428/30
Abstract: [课题]一种能够以良好的粘附性被涂覆到各种基板，具有保持高透明度、具有高折射率和小双折射性的光学特性，电气绝缘性优异，以及能够在低温下形成的碳膜和层叠体，以及其应用。[解决手段]一种碳膜，其具有在通过CuKa1线的X线衍射光谱中可通过重叠43.9°的布拉格角(2θ±0.3°)处的峰拟合曲线A、41.7°处的峰拟合曲线B以及基线得到的近似光谱曲线，且具有2nm至100μm的膜厚。前述近似光谱中，拟合曲线B的强度相对于拟合曲线A的强度优选从5％至90％。在碳膜中，拉曼位移具有拉曼散射光谱中1333±10cm-1的峰，和该峰的半值宽度是10-40cm-1。而且，发明涉及一种层叠体，其特征在于在基板上设置包括碳颗粒集聚的、厚度2nm至100μm的碳集聚膜，碳颗粒具有上述近似光谱曲线。而且，发明涉及具有上述层叠体的光学器件、光学玻璃、手表、电子基板或者研磨工具。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102892919A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201180023953.4
申请日：2011-03-17
Applicant: 独立行政法人产业技术总合研究所
IPC: C23C16/26 , C23C16/511 , C23C16/54 , H01B13/00
CPC classification number: C23C16/511 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/188 , C23C16/26 , C23C16/545 , H01B1/04
Abstract: 本发明的目的在于解决作为采用热CVD法形成石墨烯膜的课题的高温工艺及工艺时间长的问题，提供在更低温度下以更短时间形成使用了由石墨烯膜形成的结晶性碳膜的透明导电性碳膜的方法。本发明的方法的特征在于，将基体材料温度设定为500℃以下，将压力设定为50Pa以下，并且在向由含碳气体和惰性气体构成的混合气体中作为添加气体加入了用于抑制基体材料表面氧化的氧化抑制剂的气体气氛中，利用微波表面波等离子体CVD法使透明导电性碳膜堆积在在铜或铝的薄膜的基体材料表面上。
-
公开(公告)号：CN102859032A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201180020414.5
申请日：2011-02-25
Applicant: 独立行政法人产业技术总合研究所
CPC classification number: C23C16/0281 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/05 , C01B32/186 , C01B32/50 , C23C16/26 , C30B29/02 , C30B29/04 , C30B29/20 , Y10T428/30 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明的目的在于，解决作为以往的将铜箔用于基板中的利用热CVD的石墨烯成膜的课题的晶体尺寸小的问题，提供一种堆积了晶体尺寸更大的石墨烯而成的碳膜叠层体，通过制成如下的碳膜叠层体，即，具备具有由在原子水平下平坦的平台面和原子层台阶构成的表面的蓝宝石(0001)单晶基板、在基板上外延生长而形成的铜(111)单晶薄膜、和堆积在铜(111)单晶薄膜上的石墨烯，可以制成晶体尺寸大的石墨烯。
-
公开(公告)号：CN1969058A
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200580019224.6
申请日：2005-04-15
Applicant: 独立行政法人产业技术总合研究所
CPC classification number: C23C16/26 , B24D11/003 , C03C17/007 , C03C17/22 , C03C2217/282 , C03C2217/42 , G02B1/105 , G02B1/14 , Y10T428/30
Abstract: [课题]一种能够以良好的粘附性被涂覆到各种基板，具有保持高透明度、具有高折射率和小双折射性的光学特性，电气绝缘性优异，以及能够在低温下形成的碳膜和层叠体，以及其应用。[解决手段]一种碳膜，其具有在通过CuKa1线的X线衍射光谱中可通过重叠43.9°的布拉格角(2θ±0.3°)处的峰拟合曲线A、41.7°处的峰拟合曲线B以及基线得到的近似光谱曲线，且具有2nm至100μm的膜厚。前述近似光谱中，拟合曲线B的强度相对于拟合曲线A的强度优选从5％至90％。在碳膜中，拉曼位移具有拉曼散射光谱中1333±10cm－1的峰，和该峰的半值宽度是10－40cm－1。而且，发明涉及一种层叠体，其特征在于在基板上设置包括碳颗粒集聚的、厚度2nm至100μm的碳集聚膜，碳颗粒具有上述近似光谱曲线。而且，发明涉及具有上述层叠体的光学器件、光学玻璃、手表、电子基板或者研磨工具。
-
公开(公告)号：CN102892919B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201180023953.4
申请日：2011-03-17
Applicant: 独立行政法人产业技术总合研究所
IPC: C23C16/26 , C23C16/511 , C23C16/54 , H01B13/00
CPC classification number: C23C16/511 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/188 , C23C16/26 , C23C16/545 , H01B1/04
Abstract: 本发明的目的在于解决作为采用热CVD法形成石墨烯膜的课题的高温工艺及工艺时间长的问题，提供在更低温度下以更短时间形成使用了由石墨烯膜形成的结晶性碳膜的透明导电性碳膜的方法。本发明的方法的特征在于，将基体材料温度设定为500℃以下，将压力设定为50Pa以下，并且在向由含碳气体和惰性气体构成的混合气体中作为添加气体加入了用于抑制基体材料表面氧化的氧化抑制剂的气体气氛中，利用微波表面波等离子体CVD法使透明导电性碳膜堆积在铜或铝的薄膜的基体材料表面上。
-
公开(公告)号：CN102859032B
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201180020414.5
申请日：2011-02-25
Applicant: 独立行政法人产业技术总合研究所
CPC classification number: C23C16/0281 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/05 , C01B32/186 , C01B32/50 , C23C16/26 , C30B29/02 , C30B29/04 , C30B29/20 , Y10T428/30 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明的目的在于，解决作为以往的将铜箔用于基板中的利用热CVD的石墨烯成膜的课题的晶体尺寸小的问题，提供一种堆积了晶体尺寸更大的石墨烯而成的碳膜叠层体，通过制成如下的碳膜叠层体，即，具备具有由在原子水平下平坦的平台面和原子层台阶构成的表面的蓝宝石(0001)单晶基板、在基板上外延生长而形成的铜(111)单晶薄膜、和堆积在铜(111)单晶薄膜上的石墨烯，可以制成晶体尺寸大的石墨烯。
-
-
-
-
-
Search Results
6
records
(took 0.098 seconds)
