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公开(公告)号：CN103377870A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201310158563.9
申请日：2013-05-02
Applicant: 细美事有限公司
IPC: H01J37/32
CPC classification number: C23C16/4415 , C23C16/452 , C23C16/45565 , C23C16/511 , C30B25/105 , C30B25/14 , H01J37/32192 , H01J37/3244
Abstract: 提供一种基板处理设备。所述基板处理设备包括：处理室，提供处理基板的内部空间；基板支撑构件，设置在所述处理室内以支撑所述基板；喷头，设置为面向所述基板支撑构件且将所述内部空间分隔为上部空间和下部空间，所述喷头具有等离子体供应孔，所述上部空间和所述下部空间通过所述等离子体供应孔彼此连通；激励气体供应单元，供应激励气体至所述上部空间；处理气体供应单元，供应处理气体至所述下部空间；以及微波施加单元，施加微波到所述上部空间。
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公开(公告)号：CN116153750A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202211398479.X
申请日：2022-11-09
Applicant: 细美事有限公司
Abstract: 提供了一种将微波集中传递到基板的基板处理装置。该基板处理装置包括：工艺腔室，其形成用于处理基板的内部空间；基板支承单元，其在内部空间中支承基板；介电板，其布置在基板支承单元的上方；天线单元，其布置在介电板上，并具有包括通孔的截锥体形状；微波施加单元，其向天线单元施加微波；以及慢波板，其布置在天线单元上。
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公开(公告)号：CN105225911A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510370341.2
申请日：2015-06-29
Applicant: 细美事有限公司
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32192 , H01J37/32477
Abstract: 本发明构思提供了一种基板处理设备。所述设备包括处理腔室、基板支撑单元、气体供应单元、微波施加单元、天线板、慢波板、介电板、排气挡板以及内衬。所述内衬包括：本体，所述本体具有面向所述处理腔室的内侧壁的环形形状；和凸缘，所述凸缘从所述本体延伸至所述处理腔室的壁部内。所述凸缘防止微波的电场以及处理气体被提供到处理腔室与本体之间的间隙内。这样，有可能抑制由于处理腔室的内侧壁受到等离子体的损伤而生成微粒，且微粒的漂移距离可以被减小以抑制微粒到达基板。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116266527A
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202211470158.6
申请日：2022-11-23
Applicant: 细美事有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供用于将工艺气体均匀地提供到基板上的各个区域的工艺气体供应单元及包括其的基板处理装置。所述基板处理装置包括：壳体；第二电极，布置在壳体的内部，并且支承基板；第一电极，布置在壳体的内部或外部，并且与第二电极相对；工艺气体供应单元，向壳体的内部提供工艺气体；以及等离子体生成单元，在被提供工艺气体时，利用与第一电极连接的第一高频电源和与第二电极连接的第二高频电源在壳体的内部产生等离子体，其中，工艺气体供应单元包括：喷嘴，设置于壳体的内侧壁，并且喷射工艺气体；以及旋转控制部，设置于壳体的外侧壁，通过贯通壳体的侧壁形成的孔与喷嘴连接，并且使喷嘴旋转。
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公开(公告)号：CN105225911B
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201510370341.2
申请日：2015-06-29
Applicant: 细美事有限公司
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32192 , H01J37/32477
Abstract: 本发明构思提供了一种基板处理设备。所述设备包括处理腔室、基板支撑单元、气体供应单元、微波施加单元、天线板、慢波板、介电板、排气挡板以及内衬。所述内衬包括：本体，所述本体具有面向所述处理腔室的内侧壁的环形形状；和凸缘，所述凸缘从所述本体延伸至所述处理腔室的壁部内。所述凸缘防止微波的电场以及处理气体被提供到处理腔室与本体之间的间隙内。这样，有可能抑制由于处理腔室的内侧壁受到等离子体的损伤而生成微粒，且微粒的漂移距离可以被减小以抑制微粒到达基板。
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公开(公告)号：CN104602436B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201410601825.9
申请日：2014-10-31
Applicant: 细美事有限公司
CPC classification number: C23C16/45519 , C23C16/45574 , C23C16/4558 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01J37/3244
Abstract: 本发明涉及基板处理装置。本发明的一实施例所涉及的基板处理装置包括工序腔室、基板支承单元、天线板、介电板、波长缩短板以及气体供给单元等。气体供给单元使激发气体喷射单元配置于比工序气体喷射单元高的位置而使包含惰性气体的激发气体在比工序气体高的位置喷射，由此防止介电板的损伤，能够生成高密度的等离子体，能够防止在50mmTorr以上的工序压力下的工序或者使用氢气体的工序中的工序性能下降。
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公开(公告)号：CN103377870B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201310158563.9
申请日：2013-05-02
Applicant: 细美事有限公司
IPC: H01J37/32
CPC classification number: C23C16/4415 , C23C16/452 , C23C16/45565 , C23C16/511 , C30B25/105 , C30B25/14 , H01J37/32192 , H01J37/3244
Abstract: 提供一种基板处理设备。所述基板处理设备包括：处理室，提供处理基板的内部空间；基板支撑构件，设置在所述处理室内以支撑所述基板；喷头，设置为面向所述基板支撑构件且将所述内部空间分隔为上部空间和下部空间，所述喷头具有等离子体供应孔，所述上部空间和所述下部空间通过所述等离子体供应孔彼此连通；激励气体供应单元，供应激励气体至所述上部空间；处理气体供应单元，供应处理气体至所述下部空间；以及微波施加单元，施加微波到所述上部空间。
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公开(公告)号：CN104602436A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201410601825.9
申请日：2014-10-31
Applicant: 细美事有限公司
CPC classification number: C23C16/45519 , C23C16/45574 , C23C16/4558 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01J37/3244
Abstract: 本发明涉及基板处理装置。本发明的一实施例所涉及的基板处理装置包括工序腔室、基板支承单元、天线板、介电板、波长缩短板以及气体供给单元等。气体供给单元使激发气体喷射单元配置于比工序气体喷射单元高的位置而使包含惰性气体的激发气体在比工序气体高的位置喷射，由此防止介电板的损伤，能够生成高密度的等离子体，能够防止在50mmTorr以上的工序压力下的工序或者使用氢气体的工序中的工序性能下降。
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