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公开(公告)号：CN103377870A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201310158563.9
申请日：2013-05-02
Applicant: 细美事有限公司
IPC: H01J37/32
CPC classification number: C23C16/4415 , C23C16/452 , C23C16/45565 , C23C16/511 , C30B25/105 , C30B25/14 , H01J37/32192 , H01J37/3244
Abstract: 提供一种基板处理设备。所述基板处理设备包括：处理室，提供处理基板的内部空间；基板支撑构件，设置在所述处理室内以支撑所述基板；喷头，设置为面向所述基板支撑构件且将所述内部空间分隔为上部空间和下部空间，所述喷头具有等离子体供应孔，所述上部空间和所述下部空间通过所述等离子体供应孔彼此连通；激励气体供应单元，供应激励气体至所述上部空间；处理气体供应单元，供应处理气体至所述下部空间；以及微波施加单元，施加微波到所述上部空间。
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公开(公告)号：CN103377870B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201310158563.9
申请日：2013-05-02
Applicant: 细美事有限公司
IPC: H01J37/32
CPC classification number: C23C16/4415 , C23C16/452 , C23C16/45565 , C23C16/511 , C30B25/105 , C30B25/14 , H01J37/32192 , H01J37/3244
Abstract: 提供一种基板处理设备。所述基板处理设备包括：处理室，提供处理基板的内部空间；基板支撑构件，设置在所述处理室内以支撑所述基板；喷头，设置为面向所述基板支撑构件且将所述内部空间分隔为上部空间和下部空间，所述喷头具有等离子体供应孔，所述上部空间和所述下部空间通过所述等离子体供应孔彼此连通；激励气体供应单元，供应激励气体至所述上部空间；处理气体供应单元，供应处理气体至所述下部空间；以及微波施加单元，施加微波到所述上部空间。
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公开(公告)号：CN105225911A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510370341.2
申请日：2015-06-29
Applicant: 细美事有限公司
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32192 , H01J37/32477
Abstract: 本发明构思提供了一种基板处理设备。所述设备包括处理腔室、基板支撑单元、气体供应单元、微波施加单元、天线板、慢波板、介电板、排气挡板以及内衬。所述内衬包括：本体，所述本体具有面向所述处理腔室的内侧壁的环形形状；和凸缘，所述凸缘从所述本体延伸至所述处理腔室的壁部内。所述凸缘防止微波的电场以及处理气体被提供到处理腔室与本体之间的间隙内。这样，有可能抑制由于处理腔室的内侧壁受到等离子体的损伤而生成微粒，且微粒的漂移距离可以被减小以抑制微粒到达基板。
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公开(公告)号：CN105225911B
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201510370341.2
申请日：2015-06-29
Applicant: 细美事有限公司
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32192 , H01J37/32477
Abstract: 本发明构思提供了一种基板处理设备。所述设备包括处理腔室、基板支撑单元、气体供应单元、微波施加单元、天线板、慢波板、介电板、排气挡板以及内衬。所述内衬包括：本体，所述本体具有面向所述处理腔室的内侧壁的环形形状；和凸缘，所述凸缘从所述本体延伸至所述处理腔室的壁部内。所述凸缘防止微波的电场以及处理气体被提供到处理腔室与本体之间的间隙内。这样，有可能抑制由于处理腔室的内侧壁受到等离子体的损伤而生成微粒，且微粒的漂移距离可以被减小以抑制微粒到达基板。
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