公开(公告)号：CN103562366A

公开(公告)日：2014-02-05

申请号：CN201280022749.5

申请日：2012-05-24

Applicant: 旭硝子株式会社 ,  帕卡股份有限公司

Inventor： 榎本久男 ,  佐原幸治 ,  金子爱子 ,  石川智章 ,  横山哲史 ,  前柳佳孝 ,  田中明

IPC: C11D1/44 ,  B08B3/02 ,  B08B3/08 ,  C03C23/00 ,  C11D3/34 ,  C11D3/36 ,  C11D3/37 ,  G02F1/13 ,  G02F1/1333

CPC classification number: C03C23/0075 ,  C11D1/44 ,  C11D3/1213 ,  C11D3/2082 ,  C11D3/3418 ,  C11D3/3454 ,  C11D3/362

Abstract: 本发明涉及清洗剂和玻璃基板的清洗方法。在不损害用含氧化铈的研磨剂研磨后的玻璃基板的平坦性的情况下，将残留、附着于表面上的研磨磨粒分散、除去。该清洗剂是用于对用含氧化铈的研磨剂研磨后的玻璃基板进行清洗的、包含(A)有机膦酸、(B)多元羧酸盐、(C)芳族磺酸和(D)胺－环氧烷加成物的水系清洗剂。玻璃基板的清洗方法包括：使用含有氧化铈的研磨剂对玻璃基板进行研磨的研磨工序，以及利用上述清洗剂对该研磨工序后的该玻璃基板进行清洗的清洗工序。

公开(公告)号：CN102351418B

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201110193920.6

申请日：2007-06-27

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 竹田谕司 ,  谷井史朗 ,  东诚二 ,  秋山良司

IPC: C03C3/078 ,  C03C3/085 ,  C03C3/087

CPC classification number: C03B18/14 ,  C03C3/087 ,  C03C17/22 ,  C03C21/007 ,  C03C2217/28 ,  C03C2217/283 ,  C03C2218/355 ,  H01J9/241 ,  H01J2211/34 ,  Y02P40/57

Abstract: 本发明以提供能维持良好的耐损伤性、并能防止Ag胶体显色的平板玻璃用玻璃基板的制造方法及通过该制造方法得到的平板玻璃用玻璃基板为课题。本发明涉及制造平板玻璃用玻璃基板的方法，通过浮法制造平板玻璃用玻璃基板，其特征在于，具有使熔融玻璃在熔融锡上成形为玻璃基板的成形工序和使由所述成形工序成形的所述玻璃基板缓冷的缓冷工序，并且具有向所述玻璃基板的与所述熔融锡接触侧表面喷吹含有碱金属的无机物质的第一供给工序和在所述第一供给工序之后向所述玻璃基板的与上述熔融锡接触侧表面喷吹SO2气体的第二供给工序。

公开(公告)号：CN103503118A

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：CN201280020737.9

申请日：2012-05-28

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 吉田伊织 ,  竹宫聪 ,  朝长浩之

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00

CPC classification number: C09G1/02 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/0475 ,  H01L21/30625

Abstract: 本发明提供一种用于以高研磨速度对碳化硅单晶基板等非氧化物单晶基板进行研磨、得到平滑的表面的研磨剂。该研磨剂的特征在于，含有氧化还原电位为0.5V以上的含过渡金属的氧化剂、氧化硅粒子和氧化铈粒子以及分散介质，所述氧化硅粒子的含量和所述氧化铈粒子的含量的质量比的值为0.2～20。

公开(公告)号：CN103492349A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201280018337.4

申请日：2012-04-19

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 石桥雄一郎 ,  松村靖

IPC: C07C27/00 ,  C07C29/10 ,  C07C31/125 ,  C07D405/06 ,  C07B51/00

CPC classification number: C07D405/06 ,  C07B51/00 ,  C07C29/10 ,  C07C31/125 ,  C07C29/09 ,  C07B41/02 ,  C07C41/26 ,  C07C43/23

Abstract: 本发明是在不影响对酸不稳定的官能基的情况下对被叔丁基二甲基甲硅烷基保护的醇羟基进行脱保护。在溶剂存在下，对羟基被叔丁基二甲基甲硅烷基保护的醇的叔丁基二甲基甲硅烷基在下述条件下进行脱保护，即、在水中的pKa为1.0以上且3.0以下的酸或酸性盐的存在下进行脱保护。

公开(公告)号：CN103476555A

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201280018819.X

申请日：2012-07-12

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 克里斯蒂安·施密特 ,  莱安德·迪特曼 ,  阿德里安·柴泽 ,  斯文德·霍耶

IPC: B26F1/28 ,  B23K26/38 ,  B23K26/40 ,  H03K3/537

CPC classification number: B23K26/382 ,  B23K26/0661 ,  B23K26/1423 ,  B23K26/18 ,  B23K26/348 ,  B23K26/386 ,  B23K26/389 ,  B23K26/40 ,  B23K26/402 ,  B23K26/50 ,  B23K26/702 ,  B23K2103/42 ,  B23K2103/50 ,  B23K2103/52 ,  B26F1/28 ,  C03C23/0025 ,  H03K3/537 ,  Y10T428/24273

Abstract: 本发明涉及在电绝缘或半导电的衬底中生成孔或井的方法，并且涉及通过该方法在衬底中生成的孔或井。本发明同样涉及通过所述方法在衬底中生成的孔或井的阵列。

公开(公告)号：CN102157157B

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201110036046.5

申请日：2011-02-01

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 万波和夫 ,  三代均 ,  志田德仁 ,  伊藤正文 ,  增田裕之 ,  百濑彻

IPC: G11B5/84 ,  G11B5/73

CPC classification number: C10M169/04 ,  C10M133/00 ,  C10M2203/1025 ,  C10M2215/064 ,  C10M2215/065 ,  C10M2215/28 ,  C10N2230/04 ,  C10N2230/10 ,  C10N2230/42 ,  C10N2230/45 ,  C10N2240/10 ,  C10N2240/103 ,  C10N2240/104 ,  C10N2240/121 ,  C10N2260/14

Abstract: 本发明涉及一种磁记录介质用玻璃基板及其制造方法，该磁记录介质用玻璃基板为在中心部具有圆孔的圆盘形状，其特征在于，所述磁记录介质用玻璃基板具有内周侧面、外周侧面及两主平面，磁记录介质用玻璃基板的所述两主平面的至少记录重放区域上的平行度为3.2μm以下。

公开(公告)号：CN102687071B

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：CN201080056266.8

申请日：2010-12-09

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 三上正树 ,  驹木根光彦 ,  生田顺亮

IPC: G03F1/24 ,  G03F1/54 ,  G03F7/20 ,  G02B5/08

CPC classification number: G03F1/24 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G02B5/0891 ,  G03F7/70316 ,  G03F7/70958 ,  G03F7/70983

Abstract: 本发明提供抑制了由自钌（Ru）保护层的氧化导致的反射率降低的EUV掩模坯料、和该EUV掩模坯料的制造中使用的带反射层的衬底、以及该带反射层的衬底的制造方法。一种带反射层的EUV光刻用衬底，其特征在于，其在衬底上依次形成有用于反射EUV光的反射层和用于保护该反射层的保护层，前述反射层为Mo/Si多层反射膜，前述保护层为Ru层或Ru化合物层，在前述反射层与前述保护层之间形成有含有0.5~25at%的氮且含有75~99.5at%的Si的中间层。

公开(公告)号：CN103403057A

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201280011351.1

申请日：2012-02-28

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 野村顺平 ,  冈本秀一 ,  藤森厚史 ,  冈添隆

IPC: C08G63/79 ,  C07C69/773 ,  C08G63/181 ,  C08G63/195 ,  C08G63/83

CPC classification number: C08G63/195 ,  C07C67/14 ,  C07C69/80 ,  C07C69/82 ,  C08G63/183 ,  C08G63/78

Abstract: 本发明涉及一种聚酯的制造方法，其包括在催化剂的存在下，进行选自由化合物(1)～(3)组成的组中的至少一种化合物与二元醇化合物的酯交换反应。Ar为二价芳香族烃基等；R1为CX1Y1R4；R2为H或CX2Y2R5；R3为H或CX3Y3R6；R7为C1～5的全氟亚烷基；X1～X3为H、F或Rf；Y1～Y3为F或Rf；R4～R6为F、Rf或ORf等；Rf为C1～4的氟烷基。

公开(公告)号：CN101981456B

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN200980112369.9

申请日：2009-03-26

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 滨谷芳树 ,  森泽义富 ,  矢之下哲也 ,  井川耕司

IPC: G01P15/125 ,  G01P15/18

CPC classification number: G01P15/125 ,  G01P15/18

Abstract: 本发明提供使所消耗的耗电量下降且不使用上述压电传感器或双压电晶片的可使传感器自身小型化的结构的加速度传感器和传感器网络系统。本发明的加速度传感器装置是具备由导体和相对于该导体运动的驻极体形成的作为进行电能和动能的转换的静电感应型转换元件的加速度传感器的加速度传感器装置，其特征在于，包括：加速度检测部，所述加速度检测部从加速度传感器输出的交流电压中检出与加速度对应的信号；整流部，所述整流部对交流电压进行整流；电源电路，所述电源电路具有使装置内的电路工作的蓄电池，将整流后的直流电压转换成电能对该蓄电池进行充电。

公开(公告)号：CN103358200A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310088480.7

申请日：2013-03-19

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 远藤秀之 ,  大川润 ,  宫本干大

IPC: B24B7/16 ,  B24B7/24 ,  B24B9/10

Abstract: 本发明提供一种玻璃基板的端面磨削装置和端面磨削方法，即使玻璃基板端面的中心从一次端面磨削部的砂轮的槽的中央位置偏离，也能够将玻璃基板端面磨削加工处理成规定的形状。玻璃基板端面磨削装置的特征在于，从玻璃基板搬运路径的上游侧起依次具有一次端面磨削部和二次端面磨削部，在一次端面磨削部和二次端面磨削部分别具备圆柱形状的砂轮，该砂轮在侧面上沿着圆周方向形成有槽，形成于砂轮的槽的剖面形状具有从槽的底部侧向砂轮表面侧逐渐变宽的形状，形成在一次端面磨削部的砂轮上的槽的开口角度比设置在二次端面磨削部的端面磨削用砂轮上的槽的开口角度大，设置在一次端面磨削部的砂轮上的槽的底部成为向底部侧凸出的曲线。