公开(公告)号：CN102687071B

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：CN201080056266.8

申请日：2010-12-09

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 三上正树 ,  驹木根光彦 ,  生田顺亮

IPC: G03F1/24 ,  G03F1/54 ,  G03F7/20 ,  G02B5/08

CPC classification number: G03F1/24 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G02B5/0891 ,  G03F7/70316 ,  G03F7/70958 ,  G03F7/70983

Abstract: 本发明提供抑制了由自钌（Ru）保护层的氧化导致的反射率降低的EUV掩模坯料、和该EUV掩模坯料的制造中使用的带反射层的衬底、以及该带反射层的衬底的制造方法。一种带反射层的EUV光刻用衬底，其特征在于，其在衬底上依次形成有用于反射EUV光的反射层和用于保护该反射层的保护层，前述反射层为Mo/Si多层反射膜，前述保护层为Ru层或Ru化合物层，在前述反射层与前述保护层之间形成有含有0.5~25at%的氮且含有75~99.5at%的Si的中间层。

公开(公告)号：CN102687071A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201080056266.8

申请日：2010-12-09

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 三上正树 ,  驹木根光彦 ,  生田顺亮

IPC: G03F1/24 ,  G03F1/54 ,  G03F7/20 ,  G02B5/08

CPC classification number: G03F1/24 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G02B5/0891 ,  G03F7/70316 ,  G03F7/70958 ,  G03F7/70983

Abstract: 本发明提供抑制了由自钌（Ru）保护层的氧化导致的反射率降低的EUV掩模坯料、和该EUV掩模坯料的制造中使用的带反射层的衬底、以及该带反射层的衬底的制造方法。一种带反射层的EUV光刻用衬底，其特征在于，其在衬底上依次形成有用于反射EUV光的反射层和用于保护该反射层的保护层，前述反射层为Mo/Si多层反射膜，前述保护层为Ru层或Ru化合物层，在前述反射层与前述保护层之间形成有含有0.5~25at%的氮且含有75~99.5at%的Si的中间层。